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發布了產品 2022-05-21 16:29
PC3M0045065L碳化硅MOSFET
產品型號：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A189瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 16:01
C3M0025065K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A448瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 11:41
C3M0015065K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A511瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 11:12
C3M0015065D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A319瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:44
CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H40025F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益158瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:42
CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40025P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益183瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:40
CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40025F 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益275瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:16
CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H30070F-AMP2 應用電路：0.5 – 3.0 GHz 應用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益185瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:13
CG2H30070F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H30070F 應用電路：0.5 – 3.0 GHz 應用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益243瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 10:14
RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 隔離器RADITEK品牌現貨
產品型號：RADI-5.15-5.25-SMT-2WR-20W 微帶：高度拋光,焊粘到毫米波 微帶插入式載波：兼容 fuji (fdk) 的 rdkf 2-30 ghz 微帶基板：直接安裝到機箱或電路板上46瀏覽量
