--- 產品參數 ---
- 漏源電壓 650A
- 柵極 - 源極電壓 -8/+19V
- 脈沖漏極電流 132A
- 功耗 C:147W
- 工作結溫和存儲溫度 -40 to +150?C
--- 產品詳情 ---
PC3M0045065L碳化硅MOSFET業界最低的通態電阻和開關損耗,可實現最高效率和功率密度,通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位;啟用更小;打火機; 在更廣泛的電力系統中實現高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合包括高性能工業電源在內的應用;服務器/電信電源;電動汽車充電系統;儲能系統;不間斷電源;和電池管理系統。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 具有獨立驅動源引腳的優化封裝
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應用
? 數據中心和電信電源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 儲能系統
? 太陽能逆變器
相關型號
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