--- 產品參數 ---
- 漏源電壓: 900V
- 柵極 -源極電壓靜態 -4/+15V
- 柵極 -源極電壓動態 -8/+19V
- 脈沖漏極電流 50A
- 功耗 83W
- 工作結溫和存儲溫度 -55to +150?C
- 焊接溫度 260?C
--- 產品詳情 ---
E3M0120090J通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位;業內首個汽車認證;業界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固技術;提供業界最低的開關損耗和最高的品質因數。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉換器進行了優化,并在 Wolfspeed 的6.6kW 雙向車載充電器參考設計中采用。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 系統效率高
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
? 符合汽車標準 (AEC-Q101) 和 PPAP
應用
? 電動汽車充電
? DC/DC 轉換器
? 開關電源
? UPS
? 太陽能光伏逆變器
相關型號
E3M0120090J C3M0032120D
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C3M0021120D C3M0075120J
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