1 引言

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)迅猛發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)逐步形成了以數(shù)字為主的格局。數(shù)字信號(hào)處理 技術(shù)日漸成熟的同時(shí)， 對(duì)模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換接口電路模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （Analog-to-Digital Converter 簡(jiǎn)稱ADC）的速度和精度方面的要求也越來越高。ADC 的性能在整個(gè)信號(hào)處理系統(tǒng)中起到至關(guān)重要的作用，成為限制整個(gè)系統(tǒng)性能的瓶頸。在整個(gè) ADC 系統(tǒng)中，前級(jí)采樣保持電路（sample-and-hold circuit 簡(jiǎn)稱S/H）的性能直接影響到 后續(xù)電路對(duì)采樣保持信號(hào)處理的正確性，從而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能，因此對(duì)其速度和精度要 求十分嚴(yán)格。S/H 電路的精度很大程度上取決于運(yùn)放的增益，S/H 電路的帶寬則取決于運(yùn)放 的帶寬，所以設(shè)計(jì)一個(gè)相對(duì)高增益、高帶寬的運(yùn)放是整個(gè)ADC 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，本文采用的是增 益自舉運(yùn)放結(jié)構(gòu)，可以在增益和帶寬方面得到較好的效果。此外，隨著采樣的速度和精度的 不斷提高，簡(jiǎn)單的CMOS 開關(guān)已經(jīng)不能滿足設(shè)計(jì)的需要，本文采用了柵壓自舉開關(guān)[2]，可以 得到較好的采樣精度和線性度。針對(duì)運(yùn)放的增益誤差和開關(guān)電路誤差所引起S/H 電路速度受 限的問題，在整個(gè)S/H 電路結(jié)構(gòu)方面采用了雙采樣技術(shù)[3]，使同一周期內(nèi)的采樣保持工作由 原來的一次變?yōu)閮纱危麄€(gè)S/H 電路的速度得到極大的提高。

2 運(yùn)放的設(shè)計(jì)

運(yùn)放是S/H 電路中的核心模塊。CMOS 的運(yùn)放主要包括四種常見結(jié)構(gòu)：簡(jiǎn)單兩級(jí)運(yùn)算放大器、套筒式的共源共柵放大器、折疊式共源共柵放大器、增益自舉運(yùn)算放大器[4,5]。比較 四種結(jié)構(gòu)的性能發(fā)現(xiàn)，套筒式共源共柵在速度、功耗和噪聲方面具有優(yōu)勢(shì)，但是它的增益和 輸出擺幅有限，不適用于采樣增益電路中。折疊式共源共柵的速度較高，但其他四個(gè)性能參 數(shù)一般，也不采用。兩級(jí)運(yùn)放最大的缺點(diǎn)是速度提升較為困難。增益自舉運(yùn)放在增益、帶寬、 速度等方面表現(xiàn)較好。根據(jù)S/H 電路的設(shè)計(jì)要求，對(duì)運(yùn)放的各參數(shù)的性能指標(biāo)為：

綜合考慮這四種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)以及S/H 電路對(duì)運(yùn)放的要求，本文采用了增益自舉運(yùn)放來作為S/H 電路中的核心模塊。

增益自舉運(yùn)放在增益和帶寬方面都具有明顯的優(yōu)勢(shì)，基本的增益自舉運(yùn)放為一個(gè)主運(yùn) 放內(nèi)連接四個(gè)輔運(yùn)放構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)在功耗和面積方面沒有優(yōu)勢(shì)。本文設(shè)計(jì)的增益自舉運(yùn)放 只采用三個(gè)運(yùn)放構(gòu)成，主運(yùn)放采用全差分折疊共源共柵結(jié)構(gòu)，考慮到匹配問題，兩個(gè)輔運(yùn)放 也采用全差分折疊共源共柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。輔運(yùn)放單位增益頻率的選擇根據(jù)經(jīng)驗(yàn)[7]單位增益帶 寬應(yīng)大于主運(yùn)放的－3dB 帶寬，這樣主運(yùn)放就能保持原有的的高頻特性。具體電路布局如下 圖：

對(duì)運(yùn)放采用SMIC0.18um 工藝庫進(jìn)行仿真，得到仿真結(jié)果如下：

仿真波形如下圖所示：

3、柵壓自舉開關(guān)設(shè)計(jì)

在流水線結(jié)構(gòu)中，采樣模式的開關(guān)等效為一個(gè)阻抗為 Ron 的電阻，忽略體襯偏效應(yīng)的影響，Ron 的值為：

影響開關(guān)主要性能的因素包括：開關(guān)導(dǎo)通阻抗的非線性、開關(guān)電荷注入效應(yīng)以及時(shí)鐘 饋通效應(yīng)等。開關(guān)導(dǎo)通阻抗的非線性主要影響著無雜散動(dòng)態(tài)范圍（spurious free dynamic range，SFDR）；電荷注入效應(yīng)給電路引入了非線性；時(shí)鐘饋通效應(yīng)帶來了一個(gè)與輸入電壓 無關(guān)的固定失調(diào)。針對(duì)這些問題，設(shè)計(jì)選用了帶時(shí)鐘饋通補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的柵壓自舉開關(guān)。

當(dāng)時(shí)鐘 CLK 為高電平時(shí)，開關(guān)處于采樣狀態(tài)，當(dāng)CLK 為低電平時(shí)，開關(guān)處于保持狀 態(tài)。MS 為柵壓自舉開關(guān)中的開關(guān)管，DS 為引入的虛擬開關(guān)，其作用是在時(shí)鐘由高變低的 時(shí)刻在輸出端產(chǎn)生一個(gè)補(bǔ)償電壓，用于補(bǔ)償時(shí)鐘饋通效應(yīng)帶來的影響。在開關(guān)電路中，電容 兩端電壓雖然在保持階段能夠被充到電源電壓值，但在采樣階段由于寄生電容的影響，使得 電容兩端電壓值產(chǎn)生變化，這將給開關(guān)電路帶來非線性。因此在設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)電容值的選取要 求較高。

4、雙采樣技術(shù)采樣保持電路

采樣保持電路是流水線 ADC 中至關(guān)重要的部分。特別是前端采樣保持電路，它將直接 影響到后續(xù)電路對(duì)采樣保持信號(hào)處理的正確性，從而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。基本采樣保持電 路由開關(guān)和電容組成，電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的采樣保持電路，在采樣時(shí)刻，電容C 采集輸入信號(hào) 量，在保持時(shí)刻電容C 輸出電壓為采樣時(shí)刻電壓，從而實(shí)現(xiàn)采樣保持。電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)在功 耗與噪聲較低，適用于該流水線結(jié)構(gòu)ADC 的設(shè)計(jì)。

通過研究電路的時(shí)序發(fā)現(xiàn)，基本的采樣保持結(jié)構(gòu)在采樣周期，保持電路處于空閑，在 保持周期，采樣電路處于空閑，一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)電路只能對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行一次處理。雙采樣 結(jié)構(gòu)的采樣保持電路對(duì)電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)進(jìn)行擴(kuò)展，利用兩個(gè)采樣電容交替工作。在時(shí)鐘信號(hào)為高電平時(shí)刻，電容 C1 進(jìn)行采樣，輸出端保持電容C2 的采樣信號(hào)；時(shí)鐘信號(hào)為低電平時(shí)刻， 電容C2 進(jìn)行采樣，輸出端保持電容C1 的采樣信號(hào)。在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)兩個(gè)電容如此交替工 作，完成兩次采樣保持過程。

整體采樣保持電路采用SMIC0.18um 工藝，利用spectre 進(jìn)行仿真。輸出的仿真結(jié)果為， 電路工作電壓1.8V，輸入信號(hào)頻率為800KHZ，采樣頻率為50MHZ。滿足流水線ADC 系統(tǒng)中 對(duì)采樣保持電路的設(shè)計(jì)要求，下圖為雙采樣技術(shù)的采樣保持電路仿真波形圖。

5、結(jié)束語

本文設(shè)計(jì)了一種采用雙采樣技術(shù)、全差分增益自舉運(yùn)放和柵壓自舉開關(guān)的采樣保持電 路。采用增益自舉運(yùn)放達(dá)到較好的增益和帶寬性能指標(biāo)；采用柵壓自舉開關(guān)克服了開關(guān)導(dǎo)通 阻抗的非線性、開關(guān)電荷注入效應(yīng)以及時(shí)鐘饋通效應(yīng)等不良影響；雙采樣電路的使用使得采 樣速率達(dá)到同等結(jié)構(gòu)單采樣速率的兩倍。通過對(duì)這幾種結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析設(shè)計(jì)，最終得到的采樣 保持電路能夠滿足10bits50MS/s 的流水線ADC 的應(yīng)用。整個(gè)電路設(shè)計(jì)基于SMIC0.18um 工 藝，仿真結(jié)果表明，該采樣保持電路達(dá)到設(shè)計(jì)要求，能夠滿足中高精度高速流水線ADC 的 應(yīng)用。