英特爾發布硅自旋量子比特芯片，采用300毫米的硅晶圓
英特爾最近宣布推出了一款名為Tunnel Falls的量子芯片，這是他們迄今為止研發的最先進的硅自旋量子比特芯片。該芯片采用了12個硅自旋量子比特，具備更高的實用性，并充分利用了英特爾數十年來在晶體管設計和制造能力方面積累的經驗。
Tunnel Falls量子芯片是在英特爾的晶圓廠進行制造的，使用的是300毫米的硅晶圓。他們借助英特爾在晶體管工業化制造方面的領先能力，如極紫外光刻技術（EUV）以及柵極和接觸層加工技術。
硅自旋量子比特的編碼原理是將信息（0/1）嵌入到單個電子的自旋狀態（上/下）中。
這種硅自旋量子比特本質上是一個單電子晶體管，因此英特爾可以采用類似于標準CMOS（互補金屬氧化物半導體）邏輯生產線的工藝流程進行制造。
與其他量子比特技術相比，英特爾認為硅自旋量子比特具有更多優勢，因為它可以利用先進的晶體管類似的生產技術。
硅自旋量子比特的尺寸與一個晶體管相似，約為50x50納米。相比其他類型的量子比特，它小了100萬倍，并且有望更快實現量產。
編輯：黃飛
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