中科院5nm激光光刻加工方法被誤讀
近日，《財經》雜志發(fā)文澄清了一個關于中科院光刻技術突破ASML的誤讀傳言。
事情可以追溯至今年7月，中國科學院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進展相關消息，中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表了一篇題為《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發(fā)的「新型5nm超高精度激光光刻加工方法」。
截圖自ACS官網(wǎng)
這一消息被一些媒體誤讀為可以「突破ASML的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要EUV光刻機就能制作出5nm工藝的芯片」。
日前，這一論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前告訴《財經》雜志，稱這是一個誤讀，中科院這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。
極紫外光刻技術是以波長為10－14nm的極紫外光作為光源的光刻技術。
而中科院研發(fā)的「5nm超高精度激光光刻加工方法」的主要用途是制作光掩模，目前，國內制作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。
責任編輯：haq
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