在Intel的六大技術支柱中,封裝技術和制程工藝并列,是基礎中的基礎,這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進封裝技術,包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。
今天,Intel又宣布了全新的“混合結合”(Hybrid Bonding),可取代當今大多數封裝技術中使用的“熱壓結合”(thermocompression bonding)。
據介紹,混合結合技術能夠加速實現10微米及以下的凸點間距(Pitch),提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。
Intel目前的3D Foveros立體封裝技術,可以實現50微米左右的凸點間距,每平方毫米集成大約400個凸點,而應用新的混合結合技術,不但凸點間距能縮小到1/5,每平方毫米的凸點數量也能超過1萬,增加足足25倍。
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