就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產能受限，并且針對市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協助Intel生產處理器產品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產能需求。 根據韓聯社引述消息來源
2019-11-29 09:36:41
3979 根據最新報告，華為子公司海思半導體已從中芯國際半導體制造公司訂購了新的14nm工藝，同時也已收到臺積電（臺灣半導體制造公司）的訂單。 前者于2015年開始研發14nm工藝，并自2019年第三季度開始
2020-01-14 11:21:195461 2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協議，四家公司計劃聯合制定行業的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:483472 
三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術，而且又類似GlobalFoundries、聯電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241298 
在Synopsys 的協助下，臺灣聯電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產，這似乎為半導體代工廠GF近數年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉命運，不過是GF與那些半導體廠商豪門恩怨的延續。
2015-07-25 22:16:206622 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯網（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯網（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半導體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節，包括將擴展其FD-SOI產能，以及提供現有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現令人印象深刻的性能數據。
2016-05-11 09:33:191337 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22845 半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
2017-02-24 07:56:012534 ，臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電2月23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
2017-02-24 08:25:501308 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 一、前言：14nm的巔峰！Intel主流平臺迎來10核心 曾經有一段時間筆者也難以理解，為什么早在2018年筆記本端的i3-8121U處理器就用上了10nm制程工藝，而桌面上最新十代酷睿還在堅持
2020-07-28 16:27:2118704 
中芯國際第1季收入預計為全年相對低點，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率進一步提升，同時12nm制程開發也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息從供應鏈獲悉，中芯國際 14nm 制程工藝產品良率已追平臺積電同等工藝，水準達約 90%-95%。目前，中芯國際各制程產能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 隨著半導體產業技術的不斷發展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現在比較主流的10nm、7nm，而最近據媒體報道，半導體的3nm工藝研發制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
年代的第一年，半導體工藝制程發展的狀況又會如何變化呢？是否會帶來一些新的進展呢？ 英特爾 10nm快速崛起，重返Tick-Tock時代 英特爾的發展步伐一直是業內關注的焦點。2019年下
2020-07-07 11:38:14
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導通延時是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
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2023-06-01 14:52:23
們的投入中，80%的開支會用于先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
摘要 : 導讀：ASEMI半導體這個品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發半導體各類元器件，在半導體的制程和原理上可謂已經是精益求精，今天ASEMI半導體要和大家一起分享的，就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構的智能手機、平板機處理器，而接下來的14nm路線圖也已經曝光了。 根據規劃，在平板機平臺上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
從7nm到5nm，半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發展，為MRAM的商業化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，年底會開發完畢。簡山杰表示，截止到現在，我們14nm的產能雖然不多，但其利用率還不錯。至于是否再繼續投資14nm制程的產能，簡山杰說：“要再觀察。”RF-SOI談到越來越火熱的RF-SOI工藝時，簡
2018-06-11 16:27:12
22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先
2012-05-30 11:31:11989 
為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，格羅方德將率先導入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構于14nm制程產品中，預計明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產。
2012-10-09 12:02:37911 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 在2012年度的國際電子元件大會上，有專家指出，半導體制程在14nm的節點上會迎來大挑戰，而不符合偶爾定律的要求。
2012-12-13 08:51:371035 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導體（ST）宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。根據客戶的節能與性能權衡策略，FD-SOI芯片本身可節約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 ，而臺積電在16/10nm之間搗鼓了一個12nm，其實就是16nm的深度改良版，號稱可帶來更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競爭三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141234 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業及消費
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 全球半導體業中還能繼續跟蹤14nm工藝節點者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯電、東芝、海力士、美光等。顯然在半導體業中領軍尺寸縮小的企業是NAND閃存及CPU制造商及一批
2018-04-09 16:24:001952 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對市場已經沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362165 先進制程的研發令人有些惋惜，不過格芯倒是顯得穩重、平和。日前舉行的GTC大會，格芯還是強調先進制程不是市場唯一方向，當前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注，Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 年中國集成電路產業銷售額達到了6532億元，復合增長率為20.3%，其中國內公司的半導體設計水平達到了7nm級別，半導體制造上也即將量產14nm工藝，但與國外先進水平依然有很大的差距。
2019-04-10 14:39:423730 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
雖然從技術水平上看，臺積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產技術，格芯和聯電等掌握了高端14nm的量產技術，而中芯國際，28nm已實現量產，目前良率較低，技術處于逐步成熟階段，不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 英特爾已經使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內英特爾的主力制程，這也是消費者所不想要看到的。然而事實便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產品了。
2019-12-02 16:31:328187 這兩年中國公司受國外技術限制最多的領域就是半導體芯片了，從內存、閃存到CPU，再到5G射頻等等，卡脖子的問題依然沒有解決。不過2020年就是一個分水嶺了，明年中國公司將掌握多項先進半導體技術，比如14nm工藝、國產的內存、閃存等。
2019-12-30 09:05:112540 在半導體制造領域，存在著明顯的金字塔模型。市場上的主流制程工藝節點從22nm、16/14nm一直到目前最先進7nm，越往上玩家越少，即將到來的5nm更是只有臺積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 華為旗下的海思半導體已經向中芯國際下單，通過后者最新的14nm工藝生產芯片。
2020-01-14 17:56:224930 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-27 14:54:38739 我們要不要過分夸大中芯國際呢，14nm能夠發揮7nm工藝的水平？如果說14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當年的iphone 6s的兩個處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 梁孟松在會議上表示：中芯國際的14nm在去年第四季度進入量產，良率已達業界量產水準。良率意對芯片至關重要，這意味著其14nm已經進入真正意義上的量產。總體來說，我們正在與國內和海外客戶合作十多個先進工藝，流片項目，包含14nm及更先進工藝技術。
2020-12-11 14:16:442648 要說誰是CPU領域的常青樹，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產品之后，英特爾的這代工藝已經使用了7年之久，要知道在日新月異的半導體領域，制程水平能夠保持7年之久實在是一件極其
2021-01-15 10:58:288387 從 14nm 制程工藝產品良率來說，中芯國際生產水平已經快等同于臺積電，制程工藝產品良率可達90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 :? 片上高頻電磁仿真與PDK建模 IRIS——Virtuoso無縫銜接的電磁仿真工具：該工具在三星多項先進工藝節點上獲得認證，包括三星8nm/14nm LPP FinFET 工藝及28FDS FD-SOI
2021-11-17 18:00:165893 在芯片設計和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 此外，美商科磊、應用材料等半導體設備還收到通知，禁止向中國大陸出口用于生產14nm及以下先進芯片的設備，不過當時還沒有具體可執行的細節和時間。而日前據外媒報道，美國已經確定于10月再強化出口管制措施，包括嚴管14nm以下半導體設備出口到中國大陸。
2022-09-15 09:37:271725 2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產。2021年時傳出消息，中芯國際14nm的良率達到95%，已經追平臺積電。（目前7nm也已小規模投產）
2022-11-17 15:22:38104629 的基礎上，實現了國內14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領下，向著更加先進的芯片制程發起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網上，有關于14nm芯片制程的工藝介紹，已經全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117915 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化，FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369
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