意法半導體（ST）28納米FD-SOI技術運行速度達到3GHz.快速簡單且高能效得到證明，新技術不斷取得更大成功。

　　橫跨多重電子應用領域半導體供應商意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功。繼去年12月公司宣布系統級芯片（SoC）集成電路成功投產后，意法半導體又宣布其法國Crolles工廠生產的應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。

　　此前，多家企業相繼推出了FD-SOI處理器。根據摩爾定律，芯片上的晶體管數量約每兩年增加一倍，過去50年來半導體工業始終遵循摩爾定律，連續縮減晶體管的尺寸。晶體管本質上是微型通斷開關。隨著晶體管尺寸縮減導致芯片密度提高，消費電子產品增加了很多令人興奮的功能，且產品價格降至消費者預期水平。同時，這些新功能的運行時鐘速度非常快，用戶通過鍵盤、觸摸屏、語音發布命令，手機可即刻做出響應。

　　現在，當這些晶體管縮減至納米級別時，在大小相當于頭發直徑的面積上，可容納約450個晶體管 ，物理學向采用平面CMOS技術制造的體效應晶片的傳統高速和低功耗優勢發出挑戰。在電路小型化的發展過程中，FD-SOI技術是一個重大的技術突破，應用處理器引擎運行速度達到3GHz，預示FD-SOI技術將被應用于便攜設備、數碼相機、游戲機及各種應用ASIC。在下一代制程中，只有FD-SOI被證明能夠滿足移動工業的最高性能和最低功耗要求，這兩項要求對于提供令人震撼的圖形和多媒體功能且不影響電池壽命至關重要。

　　意法半導體執行副總裁、數字產品部總經理兼首席技術制造官Jean-Marc Chery表示：“如我們當初預想，測試證明FD-SOI是一項簡易、快速、高能效的技術，我們完全預期到這項技術的工作速度能夠達到3GHz，而且設計方法與體效應CMOS相同。受益于全耗盡型溝道和反偏壓，低功耗要求也符合我們的預期。”

　　意法半導體發現從28納米體效應CMOS向28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP十分簡易，因為不存在 MOS歷史效應，使用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數字系統級芯片的過程與體效應完全相同，從而進一步提高了研發設計的簡易性。FD-SOI能夠制造高能效的器件，必要時，動態體偏壓讓器件能夠立即進入高性能模式，而在其余時間保持在低泄漏電流模式，這對于應用軟件、操作系統和高速緩存系統均是完全透明的。與體效應CMOS相比，FD-SOI性能更高，工作電壓更低，能效更高。