FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。

此外，在中國大力發展集成電路的當口，FD-SOI技術還給中國企業帶去更多的發展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優勢，實現差異化創新成了眾IC設計企業的探討重點。此外，5G網絡與物聯網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。

FD SOI生態系統逐步完善

2017年以來，全球半導體市場迎來了爆發式增長，其中SOI市場預計將以29%的年復合增長率增長，預計到2022年達到18億萬美元的規模。這些都歸功于汽車電子、消費類芯片、智能電子產品領域的成長，而其中，亞太地區晶圓廠又將會是主力群體。

FD SOI推廣這么多年，近幾年取得了階段性的突破。中科院院士，中科院上海微系統與信息技術研究所所長王曦表示，近年來，全球晶圓廠以及相關的應用都發生了很大的轉變，也取得了令人矚目的成績。這種成績并不僅僅反映在傳統工藝方面，也體現在SOI技術的發展上。中國將SOI工藝作為縮小與世界領先企業之間差距的著力點，一直在大力發展，目前在相關的生態搭建上已經取得了不錯的成績。例如今年格芯在成都投資成立了SOI工廠，成都政府也給予了大力的支持，并建立了相關的產業集群和產業聯合體。

格芯首席執行官Sanjay Jha表示，由于SOI技術適用于多種應用，并能夠改善成本和性能，因此吸引大量的客戶。目前SOI技術最主要的需求來自于移動市場，物聯網，RF以及汽車，這些應用都能夠推動半導體產業保持兩位數的增長。而中國市場是SOI技術在未來能否取得成功的關鍵，雖然SOI技術是一個性價比很好的解決方案，但是依然需要多方的支持。在近幾年的大力推廣下， SOI技術已經形成了比較廣泛的生態圈。隨著微縮工藝放緩，SOI技術作為一個在各方面性能表現都良好的技術，值得業界進行深入的投資。

在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要集中在28nm，但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎，提供基礎的工藝服務，未來將開發RF和eMRAM技術。

而格芯的22FDX工藝已經ready，采用22FDX工藝的eMRAM能夠為物聯網、汽車、MCU等應用提供非常好的性能，快速寫入速度、小尺寸等等，與FinFET相比能夠提供更加優異的低功耗、高性能特性。下一代的12FDX的線路圖也正式發布，將會聚焦于移動、5G、汽車、AR/VR、人工智能等多個領域，計劃在2019年量產12FDX。據介紹12FDX的工作電壓將低于0.4V，該技術的優勢是能夠改變體偏壓，相比16nm和14nm的FinFET工藝，12FDX的能耗降低了50%。與14LPP和7LP工藝相比，12FDX在功耗與性能上能夠提供很好的性價比。

FD SOI生態持續完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

在應用方面，FD SOI工藝已經應用于消費電子和汽車電子產品中，對于消費電子應用而言，FD SOI工藝提供了更好的電池壽命，在汽車電子應用中，則提供了更好的能效使得集成更簡單，并增加了可靠性。例如索尼新一代智能手表中的GPS，使用FD SOI工藝制造的芯片功耗能達到1mW，而目前市場上最優秀的GPS產品功耗大概在10mW，相比之下能減少5~10倍功耗。此外華米/卡西歐手表中也用到了FD SOI工藝器件。在汽車應用中，Mobileye的EyeQ4，以及NXP的i.MX8系列都應用了FD SOI來實現更好的功效。

今年的一個亮點是加入了Arm處理器的對比。采用格芯SOI技術生產的A53處理器，相比28nm HKMG工藝，減少了25%面積，43%功耗，性能提升了11%。采用該工藝的T820 Mali GPU芯片面積減少了27%，M4系列則實現了90%的功耗優勢。來自加州大學伯克利分校的研究團隊從2011年至今，已經設計了10款采用28nm FD-SOI工藝的開源處理器架構RISC-V芯片，其中9個完成了功能測試，6款對外發布，1款進入生產階段。采用的是意法半導體的28nm FD SOI。

眾多電子設計自動化(EDA)公司正積極研發與FD-SOI相關的IP。Cadence和Synopsys已有經過驗證的FD-SOI IP，目前已經有10家中國客戶在一年內流片或有測試芯片。作為本土的IC設計服務企業，芯原微電子(VeriSilicon)一直重點關注并推動著FD SOI的發展，前后與意法半導體、三星、格芯等企業合作推出了多款FD SOI工藝的產品，并在襯底偏置技術的探索及產品設計方面，投入了很大人力，取得了多個技術成果。

在當前大熱的人工智能領域，FD SOI顯然也是大有可為。市場統計和咨詢公司IBS首席執行官Handel H Jones博士表示，物聯網、人工智能和深度學習將會成為未來中國半導體市場主要的驅動力。在巨大的市場需求面前，未來市場一定是屬于AI和深度學習的，而所有重要的市場發展方向和需求都在指向高性能與低功耗，而這正是FD SOI工藝的優勢所在。對于12nm的FD SOI來說，其Gate成本會比7nm的FinFET工藝降低27.0%，再有，FD-SOI的背偏壓能力是低功耗的一大法寶，這一優勢今后還會保持。

顯而易見，中國FD SOI生態正在形成。“中國應該‘兩條腿走路’，同時發展FinFET和FD SOI，尤其要抓住FD SOI這個中國晶圓廠‘彎道超車’，也是中國無晶圓廠半導體廠商‘換道超車’的歷史機遇。”芯原控股有限公司創始人/董事長兼總裁戴偉民博士指出。FD-SOI工藝無論是技術演進、產品落地、生態系統建設等方面，都向前進了一大步。不過，目前FD SOI的市場規模還是相對較小，產品還處于沖量階段，期待這一市場盡快迎來真正的爆發。

5G驅動RF SOI需求快速爆發

FD SOI快速發展的同時，RF SOI也獲得了越來越多的關注。現今大多數RF應用在智能手機、WiFi等無線通信領域，其中絕大多數使用了RF SOI工藝制造。在手機網絡轉向LTE或5G的過程中，設備設計會更加復雜，并且隨著5G與物聯網的不斷進化，迎來新一輪智能手機的更新換代，這一切都需要更加成熟的RF技術支持。這些都意味著對RF技術革新的強烈需求，以及一個潛力巨大的RF SOI硅片需求。

上海新傲科技總經理王慶宇博士指出，隨著4G網絡的普及，5G網絡的到來以及物聯網的興起，一個無線新時代即將來臨，他們正在重塑人們的生活習慣。不管是終端的移動和物聯網市場，還是新傲，都繼續看好RF SOI。為此，新傲科技已準備就緒，2016年已成功通過汽車電子客戶的質量認證，并在下邊年達成量產。今年初已經成功送樣多家國際RF客戶，預計四季度實現大批量供應。

新傲是一家研發和制造SOI材料的企業，是國內領先的高端硅基材料公司。新傲采用SIMOX，BONDING，SIMBOND和Smart-Cut等四種技術，滿足世界主流IC生產線的需求。新傲的SOI材料廣泛應用于射頻器件、汽車電子、MEMS和光電子等領域。據王慶宇介紹，新傲目前的年產量規模已達到10萬片，預計2018年中可以達到15萬片，隨著全球RF市場的不斷升溫，新傲有計劃進一步擴大產能，以緩解當下供不應求的狀況。

SOI產業聯盟聯合執行總裁Giorgio CESANA介紹說，SOI聯盟成立于2007年10月，是一個聚集了各類從事SOI為基礎技術的公司的非盈利協會，旨在促進SOI技術的發展并加速SOI市場的增長，覆蓋從學術界到材料、設備、制造、IP設計以及IC應用。目前該聯盟已有28家成員單位，并在不斷擴大。

SOI產業聯盟Carlos MAZURE指出，5G已經帶來了更多的機會給產業，一個是sub-6GHz，一個是毫米波，這兩個方向帶來了很多市場機會，尤其是中國很多企業進入了這兩個新領域。中國的RF市場正在快速增長，RF SOI已經成為一個業界標準，不論是蘋果、三星、索尼還是其他手機，都采用了該技術。

包括Tower Jazz、索尼、中國移動、RDA、中芯國際、Smartmicro(慧智微電子)等來自RF SOI生態系統的各環節企業都分享了對該領域市場的展望。RF器件和制造工藝市場正在升溫，這種態勢對于智能手機中使用的兩個關鍵組件——射頻開關器件和天線調諧器尤為明顯。射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續推出基于RF SOI工藝技術的傳統射頻開關芯片和調諧器。

慧智微電子2012年成立，2016年6月以投后6億人民幣估值完成了9,200萬人民幣的融資，成為已批量出貨的幾家射頻器件明星公司之一。該公司采用了全新的“可重構”的架構：SOI +GaAs的方式來實現多頻多模RF前端器件的集成，其4G射頻前端產品已被中興和一些白牌廠商開始采用。