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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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為改善過去采用硅(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,飛兆半導體(Fairchild)已改用碳化硅(SiC)材料量產雙極接面電...
美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案 提升大功率應用的系統性能
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
由愛戴愛集團主辦,《Bodo’s功率系統》協辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前,英飛凌科...
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能
半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium ...
據權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...
“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環境負荷等背景下,該展會的規模逐年擴大,2013年共...
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統硅功率半導體,提供更高的電源轉換效...
未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場,將以18%速度增長
在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有...
德州儀器 (TI) 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI...
SiC和GaN作為新一代的半導體功率器件,由于其開關高速、高頻工作和高溫工作燈特點,受到了廣大關注。隨著鐵路和工業設備應用增加,在2013年,這兩款器件...
姆與大阪大學研究生院工學研究科助教細井卓治、京都大學研究生院工學研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點是將透過柵極絕緣膜...
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。
三菱電機株式會社定于7月31日開始,依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊,以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
日本的SiC相關業務目前正在迅速增長。SiC與現有的硅(Si)相比可大幅削減電力損耗,因此作為新一代功率半導體材料備受關注。但此前,SiC功率元件在...
者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行業最高紀錄,達到254 lm/W。該項紀錄打破了科銳在去年初取得的2...
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