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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

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引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時(shí)代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...

2024-03-21 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 3542 0

河北半導(dǎo)體研究研制出新型大面積SiC UV APD

紫外檢測在天文學(xué),通信和生化分析上都有廣泛的應(yīng)用;在熒光實(shí)驗(yàn)和火焰中也會發(fā)射出UV線;軍事警告和制導(dǎo)系統(tǒng)可以使用可見盲的紫外線感應(yīng)來引導(dǎo)或跟蹤導(dǎo)彈羽流。

2018-10-30 標(biāo)簽:二極管SiC 3527 0

典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件

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作為一個(gè)新生的、快速發(fā)展的市場,快速直流電動(dòng)車充電器的要求和使用案例在不斷升級,留下了一個(gè)需要各種解決方案和不同優(yōu)化的空間。

2022-05-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器SiC 3509 0

Cree出售照明業(yè)務(wù),將重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體

碳化硅被用作5G無線和電動(dòng)汽車等重要技術(shù)的半導(dǎo)體,這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)⒊蔀槲磥韼啄晷枨笤鲩L的重點(diǎn)。Lowe去年告訴《 N&O》雜志,Cree已經(jīng)是德國汽車制造商...

2020-10-20 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體SiC 3505 0

電裝深耕SiC功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)

為實(shí)現(xiàn)低碳社會,電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊*1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI...

2020-12-21 標(biāo)簽:燃料電池半導(dǎo)體SiC 3487 0

華潤微:8吋晶圓產(chǎn)線滿載,產(chǎn)能利用率在90%以上

華潤微在接受投資者提問時(shí)表示,公司募投項(xiàng)目8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目在無錫現(xiàn)有的公司子公司無錫華潤上華科技有限公司8英寸晶圓廠區(qū)和廠房內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)...

2020-11-08 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 3469 0

新能源汽車如何用上“第三代半導(dǎo)體”?

9月27日,2020世界新能源汽車大會云峰會之一第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù),從芯片、模塊、封...

2020-10-14 標(biāo)簽:芯片新能源汽車半導(dǎo)體 3462 0

我國首條SiCIPM生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 實(shí)現(xiàn)了戰(zhàn)略新興行業(yè)又一次重要的突破

近日,國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產(chǎn),標(biāo)志著我國在碳化硅芯片這個(gè)戰(zhàn)略新興行業(yè)又實(shí)現(xiàn)了一次重要的突破。

2018-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCIPM 3457 0

功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析

日前,貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析》線上直播活動(dòng)。 本次直播主要針對各種先進(jìn)封裝工藝的功率器件和模塊的快速發(fā)展...

2022-10-21 標(biāo)簽:測試MOSFETIGBT 3438 0

新興市場SiC 、GaN 功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元

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對SiC行業(yè)持續(xù)強(qiáng)勁增長的預(yù)期很高,主要推動(dòng)力是混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車銷售的增長。

2019-03-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 3426 0

比亞迪加速SiC器件全面替代,中國第三代半導(dǎo)體最新進(jìn)展到哪了?

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電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)估,電動(dòng)車市場2023 年的成長率將達(dá)到36.2%,SiC(碳化硅)占功率半導(dǎo)體元件市場比重...

2023-03-17 標(biāo)簽:比亞迪SiC 3406 1

2021 IPC 會員新模式即將開啟

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IPC 致力于為您和您的公司簡化我們的會員入會流程。我們很高興地宣布, 從2021年1月1日起,我們將簡化我們的會員和會費(fèi)結(jié)構(gòu),這一新變化將使您公司每個(gè)...

2020-10-16 標(biāo)簽:PICSiC 3406 0

屬于 SiC器件的時(shí)代也許真的要到來了

開啟電動(dòng)車神奇盒子的鑰匙——碳化硅(SiC)

2019-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 3404 0

差距縮至2年內(nèi)!國內(nèi)8英寸SiC襯底最新進(jìn)展

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的上游核心材料,在下游器件需求高速增長下,近年來襯底廠商加速推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)進(jìn)度,去年業(yè)界龍頭...

2023-06-22 標(biāo)簽:SiC 3390 0

創(chuàng)新工藝可以消除SiC襯底中的缺陷

日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布,他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù),這是一種表面納米控制工藝技術(shù),可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。

2021-03-06 標(biāo)簽:晶圓SiC 3386 0

解讀我司全新SiC MOSFET方案!

NTHL020N120SC1的設(shè)計(jì)旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。此外,它被設(shè)計(jì)為以低內(nèi)部門極電阻(Rg =1.81Ω)和低...

2020-06-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體SiC 3384 0

比亞迪基于SiC形成的MOSFET制備方法專利

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在電子領(lǐng)域,MOSFET(場效應(yīng)晶體管)作為功率開關(guān)廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、放大器等電子設(shè)備中,同時(shí)也是硬件設(shè)備發(fā)熱和功率損耗的一大來源。

2020-03-02 標(biāo)簽:mosfet比亞迪sic 3372 0

利普思半導(dǎo)體完成4000萬元Pre-A輪融資

無錫利普思半導(dǎo)體有限公司(簡稱利普思半導(dǎo)體)近日完成Pre-A輪融資,由正泰集團(tuán)領(lǐng)投、水木易德跟投,融資金額達(dá)4000萬元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...

2020-12-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IGBT 3368 0

重磅!英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和數(shù)字化目標(biāo)達(dá)成

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7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi),英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺的時(shí)候,看到如下方案:一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSi...

2024-07-22 標(biāo)簽:英飛凌新能源汽車SiC 3364 0

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用的碳化二極管

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。

2018-12-04 標(biāo)簽:二極管安森美半導(dǎo)體SiC 3358 0

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