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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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MOS管的構造,工作原理,特性,電壓極性和符號規則的詳細資料概述
隨著社會的進步和發展,MOS管在電子行業的應用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發生產碳化硅SiC產品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識。
你可能沒見過莫桑石,但你一定聽說過金剛砂,這個類似“金剛石”的名稱已經霸氣側露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...
工業4.0時代及電動汽車快速的普及,工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統的Si-MosFet性能已被開發的接近頂峰,S...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在...
電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計,所以如何降低動態損耗至關重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當小。在...
如何通過調整門極驅動負壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
三菱電機成功開發6.5kV全SiC功率模塊 實現世界最高功率密度額定輸出功率
1月31日,三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊,該模塊采用單芯片構造和新封裝,實現了世界最高功率密度的額定輸出功率。
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