什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主...

2023-04-25 標簽：SiC氮化鎵GaN 4341 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：

2023-10-09 標簽：晶體管SiC氮化鎵 4177 1

碳化硅和硅的優勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體SiC 4129 0

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管IGBTSiC 4044 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 4009 0

SiC MOS器件柵極氧化物可靠性的挑戰

除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。

2022-06-30 標簽：SiCFitSiC功率器件 3968 0

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，...

2023-09-15 標簽：英飛凌半導體SiC 3952 0

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術優化

電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法， 使用時使流過負載電流的導線或走線穿過電流互感器， 進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應電流。

2023-10-31 標簽：MOSFET功率器件SiC 3937 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標簽：MOSFET場效應管SiC 3844 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 3844 0

什么是半導體材料？半導體材料的發展之路

半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。

2023-08-07 標簽：集成電路半導體材料SiC 3837 0

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區別 1

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優勢，如低損耗、高速開關、高溫...

2023-02-06 標簽：電路MOSFETSiC 3760 0

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標簽：充電器SiC氮化鎵 3680 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標簽：半導體功率器件SiC 3672 0