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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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據中國半導體行業協會的相關人士透露,有關促進集成電路發展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進行部際協調。上證報資訊獲悉,政策扶持的重點將主要集中于集成電路...
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1C...
ROHM開發出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產品開發。
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設計的一款IGBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工...
Vishay新款IGBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供集成方案
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:...
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通,電壓為0時可以讓其關斷,那么加一個反壓呢?IGBT會是什么情況?
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通,電壓為0時可以讓其關斷,那么加一個反壓呢?IGBT會是什么情況? 關于IGBT在控制極上加反壓的情況,我們需要探...
在兆瓦級,大功率電力電子應用中需要大容量的半導體器件。然而,對于某些應用來說,即使是目前可以得到的最大半導體器件容量也不夠大。因此需要將它們并聯。在傳統...
積塔半導體、吉利科技簽署戰略合作協議 推動車規芯片創新聯合發展
日前,積塔半導體與吉利科技集團簽訂戰略合作協議,雙方將圍繞車規級芯片研發、制造、市場應用、人才培養等領域開展全面合作,共同致力于車規級芯片產業的創新聯合...
翠展微宣布完成近億元A輪融資 用于新建車規級IGBT模塊產線
2022年9,翠展微對外宣布完成近億元A輪融資,本輪融資由辰峰資本領投,天龍電子和重元納星戰略投資。本輪募集的資金將用于新建2~3條車規級IGBT模塊產...
英飛凌推出全新車規級750 V EDT2 IGBT,適用于分立式牽引逆變器
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化,進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器...
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布推出用于空調功率系數校正(PFC)電路的新型功率半導體器件,可廣泛用于中低端空...
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的?
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率半導體器件,用于控制高功率的電流和電壓...
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