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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249374次 帖子：479個

      igbt資訊

      新能源汽車推波 英飛凌競逐新商機

      英飛凌高級總監徐輝表示，英飛凌進一步豐富了自己的汽車電子產品線，滲入各個細分市場，形成了最為全面的新能源產品和解決方案。

      2013-06-07 標簽：微控制器英飛凌傳感器 1680 3

      2013年度大事記：藍牙/IGBT/802.11p全面爆發

      4G商用帶動產業鏈大發展 網絡建設成關鍵，新能源應用加持IGBT市場商機無限，藍牙4.0超越過往 三大操作系統支持飛速發展，

      2013-12-13 標簽：4G藍牙IGBT 1669 0

      UPS電源散熱解決方案—保障供電穩定性和連續性

      隨著各項基礎設施日益完善，5G等戶外基站的應用也相繼增多。由于自然環境因素的影響和電網環境限制，UPS不間斷電源長期處在高溫高熱的環境下，長此以往，嚴重...

      2021-12-28 標簽：IGBTUPS電源 1668 0

      國產IGBT功率器件步入快速發展階段

      在中國，為了適應大環境的需求，扶持相關企業的健康發展，國家在新能源、節能環保方面出臺了一系列支持性的政策措施，在政府和市場的雙重推動下，功率半導體行業正...

      2014-03-11 標簽：IGBT功率器件 1654 0

      意法半導體推出的新產品專為軟開關優化設計 適用于最高功率4kW的應用

      意法半導體新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優化的溝柵式場截止（TFS） IGBT產品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現在...

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      2021年功率半導體可望迎來高景氣周期

      據報導，日前，比亞迪股份公告表示，公司董事會審議通過《關于擬籌劃控股子公司分拆上市議案》，同意公司控股子公司比亞迪半導體籌劃擬分拆及于中國境內一家證券交...

      2021-01-06 標簽：IGBT新能源車場效晶體管 1619 0

      Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT，現已提供1700V版本

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      1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍

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      IGBT及第三代半導體功率器件技術與應用

      IGBT技術在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創新。新一代IGBT產品在提高開關速度、降低開關損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展，提高了系統效...

      2023-06-21 標簽：IGBT功率器件 1612 0

      IGBT高壓變頻調速電源

      IGBT高壓變頻調速電源

      IGBT高壓變頻調速電源 Power Supply(PS) of IGBT High－ voltage Frequency Conversion Go...

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      WD0412柵極半橋驅動器概述及功能說明

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      WD0412具有耐壓600V，高低邊懸浮隔離，輸入輸出同框，電源輸入范圍10V-20V，信號輸入電平3.3V、5V、15V兼容，交叉傳導預防邏輯，輸出傳...

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      華潤微電子開發出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺

      華潤上華已開發完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進入Trench IG...

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      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短...

      2023-02-03 標簽：MOSFET電壓IGBT 1602 0

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