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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249380次 帖子：479個

      igbt資訊

      安森美半導體進一步擴展IGBT系列推出基于第三代超場截止技術的1200 V器件

      　　2016 年 5月10日- 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON），推出新系列絕緣柵雙極晶體...

      2016-05-10 標簽：安森美IGBT雙極晶體管 1978 0

      Microchip宣布擴大其碳化硅產品組合

      如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統，以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，...

      2021-08-12 標簽：電源microchipIGBT 1978 0

      如何正確理解功率循環曲線

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      近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板...

      2022-04-08 標簽：IGBT 1977 0

      比亞迪將加大IGBT模塊研究力度，拓展IGBT模塊的市場規模

      新思界產業研究中心分析師認為：未來，比亞迪將加大IGBT模塊的研發力度，一方面提高電控性能，滿足新款車型的需求，另一方面拓展IGBT模塊的市場規模，實現...

      2018-07-26 標簽：比亞迪IGBT 1975 0

      IR為UPS推出1200V絕緣柵雙極晶體管系列

      近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣...

      2011-09-07 標簽：UPSIRIGBT 1975 0

      5G基站給電源設計者帶來什么新挑戰

      5G基站作為新基建重點建設的產業之一，意味著國家接下來會投入大量資金加速5G基站建設。 自從國內5G正式宣布商用后，5G基站的身影就不斷地出現在越來越多...

      2020-09-11 標簽：開關電源IGBT半導體器件 1974 0

      IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護電路

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      IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護電路 IGBT的柵極過壓的

      2010-02-17 標簽：IGBT 1970 0

      SiC MOSFET在汽車車載充電中的應用

      　　在圖騰柱拓撲結構中采用這些高性能SiC MOSFET配置，系統能效達到97% （典型值）。該設計包括硬件過流保護（OCP）、硬件過壓保護（OVP）和...

      2022-05-06 標簽：驅動器IGBTPFC 1967 0

      英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列，提供優異效率

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      新款 CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和...

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      IGBT的RCD緩沖電路各元件參數選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功...

      2023-11-20 標簽：IGBTRCD緩沖電路 1962 0

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      今天，臺基股份發布公告稱，公司向特定對象發行股票并在創業板上市已通過深交所審核并收到批復。此次募集資金不超過5億元，將用于新型高功率半導體器件產業升級項...

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