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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效
意法半導體推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經...
IGBT大約占電機驅動系統成本的一半,占到整車成本的5%,是整部電動車成本第二高的元件(成本第一高的是電池)。毫不夸張地說,這就是電動車領域的“核心技術”。
功率補償的作用?如何進行功率補償的切換呢? 一、功率補償的作用 當負載變化引起發電機的電壓和頻率的波動時,功率補償就是為了保證電網的穩定運行。功率補償的...
有業內人士表示,國內IGBT晶圓代工產能持續緊張,華虹半導體、中芯紹興等IGBT代工廠從去年底至今均處于滿載狀態,多家IGBT芯片設計廠商表示,晶圓工廠...
1700V是IGBT的主流電壓等級之一,廣泛應用于風力發電、無功補償(SVG)、智能電網,以及中高壓變頻器等領域。
茂矽電子與富鼎先進將合作開發電動車(EV)高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件...
電子發燒友網報道(文/程文智)PCIM Asia自2002年進入中國市場后,到今年已經有20年了,以前該展會都是在上海舉辦,今年首次來到了深圳。一直以來...
嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導”)發布2021年度非公開發行A股股票預案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。
2020年,客戶需求旺盛依舊,國內IGBT市場供應緊缺的情況卻并未緩解,反而愈演愈烈。自年初起,國際IGBT大廠均受疫情影響,產能供應不足的問題持續至今。
激勵電路將信號放大,該電路工作過程如下: (1) V8 OFF時(V8=0V),V8 (2) V8 ON時(V8=4.1V),V8V9,V10為低,Q8...
2012-03-19 標簽:IGBT 2061 0
目前我國IGBT產業在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到了迅速發展,呈現出大尺寸區溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術全面蓬...
IGBT-汽車點火系統中的佼佼者 新一代點火系統IGBT為火花塞系統的線圈度身定制,正快速成為主流點火拓撲結構。幾何學和摻雜分布圖的進步可使電路小片和...
2009-12-26 標簽:IGBT 2057 0
igbt與mos管的區別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS管(Metal-Oxide-Semic...
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