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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動芯片簡述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
開關(guān)電源共模電流模型可以用下面三個(gè)回路來簡單說明。在開關(guān)管共模電壓的驅(qū)動下,形成輸入回路、輸出回路和輸入-輸出大回路。
2023-09-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBTPCB走線 1495 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析
近年來,新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識,IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率...
相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
PWM控制型IGBT的EMI機(jī)理與抑制優(yōu)化設(shè)計(jì)方法探討
驅(qū)動器類IGBT控制方式,特別是變頻器類,有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述
米勒平臺產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開通過程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
變頻器的工作原理和作用 變頻器的接線方法及其注意事項(xiàng)
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備...
變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng),不能滿足生產(chǎn)的需要,導(dǎo)致起動、制動的失敗,或工作時(shí)常跳閘,嚴(yán)重時(shí)會燒毀功率模塊IGBT或整流...
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長至110.1億美元。報(bào)告指...
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