1w白光管，單個(gè)測(cè)試電流300ma時(shí)正向壓降2.8伏。兩個(gè)管子串聯(lián)后300ma時(shí)的正向壓降變成6.7伏。使用的是恒流電源。結(jié)電壓為什么會(huì)變化呢？單個(gè)測(cè)試的時(shí)候結(jié)電壓幾乎不隨著電流變化，但是串聯(lián)時(shí)電壓隨著電流的增加明顯提高
2015-05-07 10:31:36
—PN結(jié)變寬—漂移運(yùn)動(dòng)>擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)—少子漂移形成極小 的反向電流I—PN結(jié)截止。圖1-7所示為PN結(jié)反向偏置時(shí)的電路圖。(3) PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。?dāng)PN結(jié)外加正向電壓（正偏），即P區(qū)接高電 位、N區(qū)
2017-07-28 10:12:45
產(chǎn)生電場(chǎng),這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散 ,達(dá)到平衡.當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí),內(nèi)外電場(chǎng)的方向相同,在外電場(chǎng)的作用下,載流子背離PN結(jié)運(yùn)動(dòng),結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬,耗盡層會(huì)（變寬）變大.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層將變窄.
2017-04-13 10:09:24
第一章PN結(jié)伏安特性曲線當(dāng)加在二極管兩端的電壓達(dá)到0.7V左右時(shí)，二極管正向導(dǎo)通；當(dāng)反向電壓超過(guò)U（BR）一定值后就會(huì)出現(xiàn)齊納擊穿，當(dāng)反向電壓繼續(xù)增大就會(huì)出現(xiàn)雪崩擊穿。溫度...
2021-11-15 06:43:45
多的空穴，n側(cè)或負(fù)極有過(guò)量的電子。為什么存在pn結(jié)？以及它是如何工作的？什么是p-n結(jié)二極管？I. PN 結(jié)基本型1.1 PN半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體在硅晶體（或鍺晶體）中摻雜了少量的雜質(zhì)磷元素（或銻元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PN結(jié)的定義是什么？ 對(duì)于PN結(jié)的定義，首先我們看下來(lái)自于百度百科的內(nèi)容：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面
2021-01-15 16:24:54
PN結(jié)的定義是什么？對(duì)于PN結(jié)的定義，首先我們看下來(lái)自于百度百科的內(nèi)容：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成
2021-03-16 13:50:45
;推導(dǎo)過(guò)程參見(jiàn)《晶體管原理》。當(dāng)外加反向電壓時(shí) I = Is ， CD趨于零。3、 PN結(jié)電容： PN結(jié)的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ，外加正向電 壓CD很大
2008-09-10 09:26:16
PN結(jié)電容分為兩部分，勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。 PN結(jié)交界處存在勢(shì)壘區(qū)。結(jié)兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變，從而顯現(xiàn)電容效應(yīng)。 當(dāng)所加的正向電壓升高時(shí)，多子(N區(qū)的電子、P區(qū)的空穴
2021-06-01 07:55:49
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場(chǎng)分布，但通過(guò)結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強(qiáng)浪涌能力。如今，SiC二極管非常可靠，它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ OSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
，VF變高，不會(huì)熱失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬間大電流耐受能力）比Si-FRD低的缺點(diǎn)。SiC-SBD的VF特性改善為提升具有卓越本質(zhì)的SiC-SBD的特性，使之更加易用，開(kāi)發(fā)了VF降低
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD轉(zhuǎn)換為反向偏置時(shí)的示意圖。因肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)而不存在PN結(jié),所以沒(méi)有少數(shù)載流子，在反向偏置時(shí)n層的多數(shù)載流子(電子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢復(fù)時(shí)間，其關(guān)斷時(shí)間比PND明顯縮短。這種
2018-11-29 14:34:32
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜pn結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管；利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與pn結(jié)相結(jié)合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入
2016-11-29 14:52:38
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
壓接式可控硅模塊與焊接式可控硅模塊有什么區(qū)別呢？下面就為大家介紹下：首先，從電流方面來(lái)說(shuō)，焊接式模塊能做到160A電流，而壓接式模塊的電流則可達(dá)到1200A。也就是說(shuō)，160A以下的模塊，既有焊接
2013-12-25 09:12:41
壓接式可控硅模塊與焊接式可控硅模塊有什么區(qū)別呢？下面就為大家介紹下：首先，從電流方面來(lái)說(shuō)，焊接式模塊能做到160A電流，而壓接式模塊的電流則可達(dá)到1200A。也就是說(shuō)，160A以下的模塊，既有焊接式
2014-02-11 11:08:23
正向偏置的pn結(jié)為什么是擴(kuò)散增強(qiáng)漂移減小，pn 結(jié)就會(huì)變窄呢？求詳細(xì)解釋?zhuān)苛硗膺€想請(qǐng)教下漂移具體是什么意思？
2013-07-04 23:39:21
為何能得到大家的青睞？MTC110-16有什么特別之處呢？ MTC110-16參數(shù)描述型號(hào)：MTC110-16品牌：ASEMI封裝：D1特性：可控硅模塊電性參數(shù)：110A 1600V正向電流：110A
2021-08-17 15:27:12
和N型導(dǎo)體組成的四層結(jié)構(gòu)，總共有三個(gè)PN結(jié)。MTC160-16在結(jié)構(gòu)上與只有一個(gè) PN 結(jié)的硅整流二極管有很大不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制電極的引入，為其“以小控大”的優(yōu)良控制特性奠定了基礎(chǔ)。在可控硅
2021-08-28 16:21:16
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
L M393電壓比較器
*如果反向端比正向端高/那輸出電壓是正或負(fù)#
2016-01-27 07:55:55
的， 低濃度摻雜的PN結(jié)，耐壓頗高，反向漏電甚小，不過(guò)，當(dāng)你在任何一端加上了發(fā)射極，這反偏結(jié)都能夠大量導(dǎo)電（Ic），且看此圖，左邊是PNP，右邊是NPN，中間則依然是反偏的PN結(jié)一個(gè)，啥都沒(méi)加，但你會(huì)發(fā)
2015-09-18 10:21:06
常出現(xiàn)反向峰值電流幾乎不再存在； ·無(wú)論負(fù)載電流，還是溫度變化，反向電荷產(chǎn)生的電流變化率di/dt低至為零； ·工作結(jié)溫可高于200℃?！ ∮捎诓捎锰蓟柚圃斓亩O管比硅基二極管貴得多，所以
2019-01-02 13:57:40
1-3 場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖當(dāng)PN結(jié)反偏時(shí)，場(chǎng)板電位相對(duì)P型區(qū)為高電位。若場(chǎng)板下的絕緣介質(zhì)厚度合適，高電位的作用使P型硅表面耗盡，結(jié)耗盡區(qū)擴(kuò)展至場(chǎng)板以下區(qū)域，表面靠近N+P結(jié)位置原有的高電場(chǎng)被分散，并在場(chǎng)板
2019-07-11 13:38:46
asemi的進(jìn)口整流橋型號(hào)RMB4S正向壓降是多少呢？
2016-09-28 15:58:30
不知道為什？ 我multisim 10 中 所以二極管正向壓降都是0v要設(shè)置二極管的正向壓降參數(shù)為0.7v 改怎么設(shè)置呢？請(qǐng)教高手謝謝新手上路（詳教）謝謝
2014-02-28 09:10:22
伏安特性曲線上升得稍慢一點(diǎn)，如圖1所示。 圖1兩種結(jié)的伏安特性比較 （5）勢(shì)壘高度和正向壓降： 熱平衡時(shí)pn結(jié)和pin結(jié)的勢(shì)壘高度（～內(nèi)建電勢(shì)Vo與電子電荷q的乘積），原則上都由兩邊半導(dǎo)體的Fermi能級(jí)
2013-05-20 10:00:38
(1)由于肖特基勢(shì)壘的高度低于PN結(jié)勢(shì)壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢(shì)壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。肖特基二極管規(guī)格書(shū)下載：
2022-01-18 10:35:14
（Schottky Barrier Diode，SBD）利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作，正向壓降比PN結(jié)低。同時(shí)SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。目前主流Si
2023-10-07 10:12:26
區(qū)，進(jìn)入P區(qū)的電子和進(jìn)入N區(qū)的空穴分別成為該區(qū)的少子，因此，在P區(qū)和N區(qū)的少子比無(wú)外加電壓時(shí)多，這些多出來(lái)的少子稱(chēng)為非平衡少子。在正向電壓作用下，P區(qū)空穴越過(guò)PN結(jié)，在N區(qū)的邊界上進(jìn)行積累，N區(qū)電子
2021-06-15 17:08:31
正向電阻？因?yàn)槲业牡谝桓杏X(jué)是根據(jù)PN結(jié)的情況來(lái)看，應(yīng)該是紅表筆接陽(yáng)極，黑表筆接陰極，這樣我覺(jué)得是正向電阻。2：測(cè)有的二極管，紅表筆接陰極，黑表筆接陽(yáng)極，即PN結(jié)正向，萬(wàn)用表顯示為無(wú)窮大。如果黑表筆接陰極，紅表筆接陽(yáng)極，即PN結(jié)反向，反而有讀數(shù)。這是什么原因啊?在此拜托各位了，幫我解決心中疑惑。
2017-08-25 10:59:34
通的正向電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向導(dǎo)通，電流隨電壓增大而迅速上升。增加很快，所以二極管上的壓降，其實(shí)很小，否則由于電流太大，就燒壞了。在正常使用的電流范圍內(nèi)
2022-01-25 10:33:57
廣泛。我們應(yīng)該很清楚很多二極管特性，讓我們逐步檢查以下內(nèi)容。導(dǎo)電性能2.1 好評(píng)施加正向電壓時(shí)，開(kāi)始時(shí)正向電壓很?。ㄦN管小于0.1 V，硅管小于0.5 V），不足以克服PN結(jié)中電場(chǎng)的阻塞效應(yīng)。此時(shí)
2023-02-09 10:33:09
，由于正向電壓較小，外電場(chǎng)還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，因而這時(shí)的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個(gè)大電阻，好像有一個(gè)門(mén)坎。 硅管的門(mén)坎電壓Vth(又稱(chēng)死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當(dāng)
2015-11-27 18:01:44
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
幾納秒)，尤其適合于高頻應(yīng)用。其正向壓降低，僅0.4V左右，比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。但其反向擊穿電壓比較低，大多
2015-06-19 14:52:18
肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。SiC
2018-11-29 14:33:47
工作電壓）、工作電流、溫度系數(shù)、材料常數(shù)、時(shí)間常數(shù)等，而光敏二極管,最高工作電壓,暗電流，光電流，光電靈敏度、響應(yīng)時(shí)間、結(jié)電容和正向壓降等。四.結(jié)構(gòu)不同光敏電阻，只需要兩個(gè)電極就行了，而光敏二極管，兩個(gè)電極間要求能夠形成一個(gè)PN結(jié)，而且為了加大導(dǎo)通電流，把一個(gè)電極的面積設(shè)計(jì)的很大，另一個(gè)相對(duì)很小。
2014-04-11 17:02:19
Pn結(jié)制作溫度傳感器中用什么運(yùn)放比較合適
2017-11-08 23:33:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
學(xué)習(xí)pn結(jié)后，一直有個(gè)問(wèn)題困惑我：當(dāng)pn結(jié)外加正向電壓是，削弱了內(nèi)電場(chǎng)，擴(kuò)散大于漂移，那豈不是又進(jìn)一步增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，當(dāng)內(nèi)電場(chǎng)慢慢增強(qiáng)后，那不是又重新到達(dá)一個(gè)平衡狀態(tài)，擴(kuò)散等于漂移。怎么會(huì)正向導(dǎo)通呢？望高手指教！謝謝……
2012-12-08 17:44:54
并且無(wú)法移動(dòng)。什么是p型和n型？在硅摻雜中，有兩種類(lèi)型的雜質(zhì)：n型和p型。在n型摻雜中，砷或磷少量添加到硅中。。..在p型摻雜中，硼或鎵用作摻雜劑。這些元素的外軌道上都有三個(gè)電子。什么是PN結(jié)二極管
2023-02-15 18:08:32
是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
帶有體電阻，這就導(dǎo)致正向電流比PN結(jié)小一些，另外加反向電壓的時(shí)候，不僅僅有PN結(jié)的漂移運(yùn)動(dòng)，還有外殼的漂移運(yùn)動(dòng)，所以反向飽和電流比PN結(jié)要大。溫度對(duì)二極管的影響溫度上升，正向曲線左移，反向曲線下移。正向左移的原因：溫度升高的時(shí)候，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)加劇，在同以電壓下，溫度越高電流越大
2021-12-29 07:14:37
導(dǎo)通。正向壓降很小,且隨溫度上升而減小。 PN 結(jié)反向偏置時(shí),空間電荷層變寬,內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng),漂移大于擴(kuò)散,反向電流很小(少子漂移形成), PN 結(jié)呈現(xiàn)為高電阻,稱(chēng)為反向截止。反偏電壓在一定范圍內(nèi),反向電流
2021-05-24 08:05:48
相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。2、單向可控硅：由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比，單向可控硅正向導(dǎo)通受控制極電流控制。產(chǎn)品概述：RM9005E 是單通道調(diào)光LED恒流驅(qū)動(dòng)
2020-05-08 10:39:14
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由
2012-08-08 21:09:50
請(qǐng)問(wèn)怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過(guò)結(jié)溫時(shí)會(huì)有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
過(guò)程：可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)可控硅承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使可控硅導(dǎo)銅，必須使承受反向
2021-12-08 06:30:00
可控硅全稱(chēng)“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），簡(jiǎn)寫(xiě)為SCR，別名晶體閘流管（Thyristor），是一種具有三個(gè)PN結(jié)、四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)，可起到變頻、整流、逆變、...
2021-11-16 06:32:22
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆
2011-10-11 13:54:14
具有高電子遷移率，適用于低壓大電流器件，但其溫度特性比硅材料差。PN結(jié)的反向漏電流遠(yuǎn)大于硅材料。因此，硅管必須用于大功率器件和高背壓器件。三極管有兩個(gè)PN結(jié)。就PN結(jié)而言，鍺管的PN結(jié)的正向電壓降低
2023-02-07 15:59:32
?單向?qū)щ娦缘?，是二極管，不是
PN結(jié)！?
真正令
PN結(jié) 導(dǎo)不了電的，關(guān)非 過(guò)不去，而是? 離不開(kāi)及進(jìn)不來(lái)，
交叉對(duì)流無(wú)障礙，背道而馳不允許，所以，當(dāng)
PN結(jié)成了集電結(jié)，單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:41 編輯
兩個(gè)PN結(jié)都已經(jīng)正向偏置了,為什么集電極電流還比基極大?應(yīng)是大部分電子都上基極了吧,畢竟基極電位高嗎?
2009-07-01 10:46:52
1 硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分）鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向導(dǎo)通電壓低，前者為0.2
2018-01-31 10:14:10
晶體管發(fā)射極結(jié)間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
AD8244壓擺率只有0.8V/μs，想要找一款壓擺率比這個(gè)高的產(chǎn)品。
2023-11-15 07:01:09
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。<span] 二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類(lèi)型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V
2018-09-25 11:30:29
貼片二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類(lèi)型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會(huì)隨不同發(fā)光顏色而不同。
2019-09-17 09:11:16
8050，使用相同的測(cè)試方案完成8050的b-e結(jié)的電壓-電流測(cè)試，所得到的數(shù)據(jù)曲線如下：▲ 測(cè)試NPN8050的發(fā)射極PN結(jié)的I-V曲線使用相同的方法進(jìn)行建模，并計(jì)算參數(shù)： 這個(gè)數(shù)值比精確
2020-07-13 07:50:36
` 一、硅肖特基二極管的特點(diǎn) 硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導(dǎo)體硅接觸的肖特基二極管，由于它的這種特殊結(jié)構(gòu)，使其具有如下不同尋常的特性： 硅肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個(gè)
2019-01-11 13:42:03
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
穩(wěn)壓二極管特點(diǎn)穩(wěn)壓二極管，利用的是PN結(jié)的反向特性，其特性與PN結(jié)的反向曲線相同。二極管的正向導(dǎo)通有壓降，但是為什么不用正向導(dǎo)通做穩(wěn)壓呢？因?yàn)殒N管或者硅管的正向導(dǎo)通電壓基本是定死的，但是在實(shí)際使用
2021-11-15 09:07:09
電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓
2019-07-10 04:20:13
凌訊MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器（標(biāo)準(zhǔn)肖特基）是基于硅肖特基二極管技術(shù)的最新器件。肖特基勢(shì)壘整流器是非常受設(shè)計(jì)人員歡迎的器件，因?yàn)槠渚哂袠O快的開(kāi)關(guān)速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結(jié)溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
原理和PN結(jié)整流管有很大區(qū)別，PN結(jié)整流管被稱(chēng)作結(jié)整流管，而金屬-半導(dǎo)體整流管叫做肖特基整流管。肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，正向導(dǎo)通門(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)頻率高，正向壓降低
2021-11-15 06:47:36
肖特基二極管正向壓降變大，達(dá)到2.2V左右，正向電阻比正常的大，達(dá)到8.7K左右，導(dǎo)致電源供電不正常
2015-11-30 23:03:26
單向?qū)щ娦缘姆蔷€性器件。[編輯本段]特點(diǎn) SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向導(dǎo)通門(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）?！ ?）由于
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管MUR3040PT的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件MUR3040PT(ON)測(cè)試項(xiàng)目1.二極管反向擊穿電壓2.二極管正向壓降 測(cè)試方法1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓用20KV高精度
2015-08-14 09:53:53
），這時(shí)候稱(chēng)為正向壓降。 當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，PN結(jié)摻雜不同的化合物發(fā)出的光也不同，比如說(shuō)鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等。然后加上引腳，用環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)，通上正向電壓
2023-03-03 17:11:13
請(qǐng)問(wèn),制作PN結(jié)一般在硅的哪個(gè)晶面上?cznwl@163.com,謝謝!
2014-01-02 19:24:51
從本篇開(kāi)始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
合的時(shí)間會(huì)比普通的Silicon PN結(jié)二極管快很多，而且由于這種二極管只有一個(gè)單邊的空間電荷區(qū)，所以PN結(jié)電容也變小了，所以SBD一般都適合高頻應(yīng)用。另外，Silicon PN結(jié)的二極管正向導(dǎo)通電壓都是
2023-02-08 16:40:30
電壓。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6~0.8 V;鍺二極管約0.2~0.3 V。大功率的硅二極管的正向壓降往往達(dá)到1V。更多的人則了解PN結(jié)的伏安特性，即PN結(jié)壓降與正向電流關(guān)系呈對(duì)數(shù)關(guān)系
2019-10-12 15:12:19
PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將變窄是因?yàn)椋?*PN結(jié)外加正向電壓，此時(shí)外電場(chǎng)將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場(chǎng)
2023-10-18 17:38:58
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為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢？ PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向導(dǎo)通和反向截止的特性。如果將PN結(jié)的兩端施加正向電壓，電子從N型區(qū)流向P型區(qū)，空穴從P型區(qū)流向
2023-10-19 16:42:521805 二極管若加很大的正向電壓，PN結(jié)會(huì)不會(huì)損壞？ 二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件，它是由一個(gè)p型半導(dǎo)體和一個(gè)n型半導(dǎo)體組成的，中間有一個(gè)PN結(jié)，二極管是具有單向?qū)щ娦缘碾娮釉?，?dāng)施加的電壓為正向電壓
2023-10-19 16:53:20882 PN結(jié)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成，這兩種半導(dǎo)體材料具有不同的摻雜濃度，形成一個(gè)正負(fù)載流的結(jié)構(gòu)。當(dāng)在PN結(jié)上施加正向電壓時(shí)，會(huì)引起空間電荷效應(yīng)，即在PN結(jié)區(qū)域形成帶電
2024-03-01 11:14:59329 已全部加載完成
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