工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2016-10-09 11:11:13
19365 
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機驅(qū)動設(shè)計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機驅(qū)動應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45613 IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
2022-06-09 10:35:032270 
現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動芯片能保護到的IGBT的項。
2022-09-05 10:05:424179 為了理解IGBT進入退飽和的過程機理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175483 
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312610 
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強的優(yōu)點。
2024-02-18 10:29:261070 
間距2.54mm 2P 短路帽/跳線帽 開口式
2023-04-06 21:57:12
間距2.54mm 2P 短路帽/跳線帽 閉口式
2023-06-15 14:45:00
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述視頻鏈接包含了以下四個方面內(nèi)容：— 雙脈沖測試要點回顧— 短路的分類與安全工作區(qū)— 短路測試方法— 測試注意事項講師PPT見附件。
2020-06-28 10:48:45
在IGBT短路時，假設(shè)在導(dǎo)通時短路，此時IGBT驅(qū)動電壓達到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動電壓
2024-02-25 11:31:12
6us內(nèi)關(guān)斷，不過驅(qū)動芯片有DESAT腳，無IGBT下測試，生效時間6us內(nèi)。)于是想先在低壓下同樣操作看異常波形在哪。目前在50V母線電壓情況下做關(guān)斷，測出有下面這樣的波形，從C極關(guān)斷時候的高壓看
2019-07-04 21:27:32
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動電路設(shè)計：1、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計2、IGBT驅(qū)動器的選擇3、IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護方法當(dāng)過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過 流保護。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
主要是關(guān)于IGBT的短路保護問題
2018-07-02 21:53:23
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系？為什么？
2023-03-16 11:37:09
降均為無窮大。 如果測得IGBT管三個引腳間壓降很小，IGBT管以壞；若測得IGBT管CE引腳間壓降均為無窮大（要以廠家提供的資料為準(zhǔn)，有可能有的IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管），說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿（短路）損壞。
2012-04-18 16:15:53
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驅(qū)動電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動板，IGBT驅(qū)動核，IGBT驅(qū)動芯，IGBT適配板，IPM，這些到底有啥區(qū)別？哪種最為簡單？`
2017-10-10 17:16:20
igbt保護電路短路保護電路的設(shè)計:由對圖1所示電路的分析,可以得到igbt短路保護電路的原理更詳細請查看：新型IGBT短路保護電路的設(shè)計
2008-10-21 01:19:56
幾種IGBT短路保護電路圖7是利用IGBT過流時Vce增大的原理進行保護的電路，用于專用驅(qū)動器EXB841。EXB841內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷，并具有內(nèi)部延遲功能，以消除干擾產(chǎn)生的誤動作
2009-01-21 13:06:31
驅(qū)動電路的工作原理是什么？短路自動斷電保護電路有何作用？
2021-08-05 07:47:01
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一
2019-07-24 04:00:00
三相逆變器中IGBT的驅(qū)動電路有哪幾種？用于IGBT驅(qū)動的集成電路芯片有哪些？其使用方法和優(yōu)缺點是什么?
2021-04-20 06:35:24
。IGBT的缺點，一是集電極電流有一個較長時間的拖尾——關(guān)斷時間比較長，所以關(guān)斷時一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護MOS管一樣在很大的短路電流的時候快速關(guān)斷MOS管極可
2022-06-08 16:03:07
。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍是10 μs，但近年來的趨勢是在往5 μs3以及某些條件下低
2019-10-06 07:00:00
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-11-02 08:30:41
使用IGBT首要注意的是過流保護,產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損 壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。針對這些原因該如何設(shè)計電路呢？
2019-02-14 14:26:17
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍
2018-08-20 07:40:12
，技術(shù)的進步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路
2021-08-12 07:00:00
。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍是10 μs，但近年來的趨勢是在往5 μs3以及某些條件下低至
2018-07-30 14:06:29
更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍
2018-11-01 11:26:03
電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術(shù)的進步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流
2018-10-10 18:21:54
導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間
2019-04-29 00:48:47
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場截止（FS） IGBT進一步降低
2018-09-30 16:10:52
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
短路保護是保證分?jǐn)?b class="flag-6" style="color: red">短路電流后設(shè)備無損。太專業(yè)了!(可以保護接地故障)
變頻器為什么沒有短路保護?成本問題?元件問題?
IGBT測試,電壓很小,電流也很小,只能做為設(shè)備靜態(tài)是保護;
過載:變頻器可以
2023-11-22 06:09:26
請問各位大神，空調(diào)的PFC電路的IGBT，帶FRD跟不帶FRD有什么區(qū)別？
2017-04-24 09:31:50
根據(jù)集電極退飽和檢測短路原理及IGBT 的短路安全工作區(qū)(SCSOA) 限制,設(shè)計出具有較完善性能的IGBT 短路保護電路。分析與實驗結(jié)果表明,短路保護快速、安全、可靠、簡便、應(yīng)用價值較
2009-10-28 10:56:53
118 igbt保護電路
短路保護電路的設(shè)計:由對
2008-10-21 01:19:32909 
IGBT短路保護電路原理圖
2008-10-23 21:43:483576 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點設(shè)計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態(tài)的實用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2017-02-10 12:31:101842 
在vdc=1200v下進行了短路試驗，試驗波形如圖6所示。可見，在關(guān)斷開通短路電流和通態(tài)短路電流時，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區(qū)間內(nèi)，有效地保護了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術(shù)達到了預(yù)期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
使用的具有自關(guān)斷能力的器件，開關(guān)頻率高，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當(dāng)，它很容易損壞。一般認(rèn)為IGBT損壞的主要原因有兩種：一是IGBT退出飽和區(qū)而進入了放大區(qū)使得開關(guān)損耗增大;二是IGBT發(fā)生短路，產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流，從而
2017-10-09 18:27:1439 為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅(qū)動問題，本文提出了驅(qū)動電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計方案。同時，在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性，提出了極端工況IGBT的保護措施，包括IGBT柵極電壓應(yīng)力防護、VCE電壓應(yīng)力抑制、過流與短路等工況的保護措施及工作原理。
2018-06-17 09:57:0032146 
在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動信號出現(xiàn)異常，或者某個IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時承受
2019-10-07 15:04:0024314 
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074458 。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。...
2021-01-21 10:28:5414 雖然如今設(shè)計的典型工業(yè)級IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個基本缺陷。但通過更為詳細的背景分析
2021-01-26 16:07:334702 
IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時會發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代場截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結(jié)溫可達175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
2023-02-07 16:12:22696 
目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結(jié)構(gòu)比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對飽和區(qū)的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過程和保護 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保護的問題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0015 每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點先說一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機制的優(yōu)點，相比于其他大功率開關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342959 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 電池短路試驗是常見的一種電池安全性能試驗。電池短路有分為外部短路與內(nèi)部短路，兩者有什么區(qū)別呢？
2023-10-11 16:49:48899 
IGBT模塊損壞時，什么情況導(dǎo)致短路？什么情況導(dǎo)致開路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過程中遭受損壞時，可能會出現(xiàn)短路或開路的問題。這兩種情況會對電路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291044 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導(dǎo)體冷知識：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25312 
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792 由于短路會導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關(guān)管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導(dǎo)致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復(fù)雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受時間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時間。這個參數(shù)對于系統(tǒng)保護策略的設(shè)計至關(guān)重要，因為它決定了系統(tǒng)在檢測到短路并采取措施（如關(guān)閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長
2024-02-06 16:43:251317 
一類短路和二類短路的區(qū)別? 一類短路和二類短路是電路中常見的兩種故障類型。它們在故障性質(zhì)、引起原因、對電路影響以及檢測方法等方面存在著明顯的區(qū)別。 一、一類短路的定義、形成原因和表現(xiàn) 1. 定義
2024-02-18 10:07:51336 。在IGBT上下橋的應(yīng)用中，短路可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞、系統(tǒng)失效甚至火災(zāi)等嚴(yán)重后果。 IGBT上下橋短路的原因可以分為以下幾種： 1. 設(shè)計缺陷：不合理的設(shè)計和材料使用可能導(dǎo)致IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)出現(xiàn)問題，進而引發(fā)短路。例如，設(shè)計中未考慮到足夠的絕緣層厚度
2024-02-18 10:08:38332 三相短路接地和三相短路的區(qū)別? 三相短路接地和三相短路是電力系統(tǒng)中兩種常見的故障形態(tài)，它們之間存在一些區(qū)別。 首先，三相短路接地是指三相電源系統(tǒng)中的一相電源與地或?qū)w之間發(fā)生短路，而其他兩相電源
2024-02-18 10:21:53479 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實際應(yīng)用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點，因此在各種電源、驅(qū)動、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT導(dǎo)通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過程中可能發(fā)生的過流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57205
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