在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計，而如果使用了零電壓開關（ZVS）技術，可以大幅降低導通損耗。
2013-12-18 09:48:22
1931 工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導通損耗的一些權衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2016-10-09 11:11:1319365 
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經擴充其短路額定IGBT產品組合，為電機驅動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關重要的三相電機驅動應用
2012-09-10 09:59:45613 IGBT在工作的時候，一般是工作在飽和區的，就是下圖中的紅色區域。為什么？很容易理解，在這個區域Vce隨著Ic的變化非常小，因此損耗也就很小，功率半導體讓人關注的歸根結底不就是個損耗嘛。
2021-03-01 12:10:1253127 IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-09 10:35:032270 
現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。
2022-09-05 10:05:424179 為了理解IGBT進入退飽和的過程機理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結構上的區別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結構上增加了一個P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區域的電子
2023-01-17 13:59:2912950 
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關損耗的參數( Eon
2023-03-06 15:02:511536 IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175483 
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303816 
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
這里，我們只關注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312610 
摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊
2023-12-14 09:37:05472 
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
在IGBT短路時，假設在導通時短路，此時IGBT驅動電壓達到穩定高值，就是IGBT已經完全導通，此時刻觸發外部電路短路，用示波器查看驅動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內響應后，驅動電壓
2024-02-25 11:31:12
錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。 對IGBT的過流檢測保護分兩種情況： （1）驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量
2011-08-17 09:46:21
和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。 IGBT失效機理：IGBT由于上述原因發生短路，將產生很大的瞬態電流——在關斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過 流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
、結構也會給IGBT選型提出要求，再就是考慮性價比和供貨。對于一個具體的應用來說，在選擇IGBT功率模塊時，需要考慮其在任何靜態、動態、過載（如短路）的運行情況下： 器件耐壓；在實際的冷卻條件下，電流
2022-05-10 10:06:52
1、拓撲說明 基于逆變器的拓撲進行IGBT的損耗計算，如下為三相全橋結構帶N線的方式。調制方式為SPWM波形，針對IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網電壓。其中
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT應用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關系？為什么？
2023-03-16 11:37:09
想要igbt的相關資料
2023-09-13 19:57:26
1 引言 在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數確定之后, 最終需要根據IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環能力來選定IGBT
2018-10-12 17:07:13
我用IGBT設計了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開關頻率為300kHz，上網查資料發現IGBT的開關損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計算開關損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問一下，開關損耗真有這么大嗎，是設計的不合理還是我計算錯了？
2019-07-25 10:16:28
較低的IGBT具有較低的短路電平。然而，較高增益同樣會導致較低的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。1 IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致
2019-07-24 04:00:00
。IGBT的缺點，一是集電極電流有一個較長時間的拖尾——關斷時間比較長，所以關斷時一般需要加入負的電壓加速關斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護MOS管一樣在很大的短路電流的時候快速關斷MOS管極可
2022-06-08 16:03:07
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短
2019-10-06 07:00:00
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
幾種IGBT短路保護電路圖7是利用IGBT過流時Vce增大的原理進行保護的電路，用于專用驅動器EXB841。EXB841內部電路能很好地完成降柵及軟關斷，并具有內部延遲功能，以消除干擾產生的誤動作
2009-01-21 13:06:31
幾十微秒），耐 過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損 壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣
2011-10-28 15:21:54
工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
的短路電流更高，因此顯然增益較低的IGBT具有較低的短路電平。然而，較高增益同樣會導致較低的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外
2021-08-12 07:00:00
導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時間進一步縮短
2018-07-30 14:06:29
柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。本文討論現代工業電機驅動中
2018-10-10 18:21:54
的IGBT具有較低的短路電平。然而，較高增益同樣會導致較低的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步導致使用芯片尺寸
2018-11-01 11:26:03
，因此顯然增益較低的IGBT具有較低的短路電平。然而，較高增益同樣會導致較低的通態導通損耗，因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時間這一趨勢。此外，技術的進步
2019-04-29 00:48:47
了飽和壓降和開關損耗。此外，通過運用陽極短路（SA）技術在IGBT裸片上集成反向并聯二極管這項相對較新的技術，使得FS IGBT非常適合軟開關功率轉換類應用。 場截止陽極短路溝道IGBT與NPT
2018-09-30 16:10:52
電磁感應加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
我的IGBT輸出正常，為什么經過了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW，經過變壓器后僅有60KW，查了很久，都沒發現這60KW的功率損耗到了哪里？并且就算是損耗，我認為也不會有器件能承受得這60kw的功率，這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎？
2012-08-15 09:36:35
效能。溝槽場截止降低IGBT靜態損耗 搭載這項技術的組件效能主要由晶格尺寸、芯片厚度及摻雜分布等設計參數控制。設計人員透過調整這些參數，便能讓組件在漂移區的高載子密度增加。此類組件提供低VCE(sat
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 根據集電極退飽和檢測短路原理及IGBT 的短路安全工作區(SCSOA) 限制,設計出具有較完善性能的IGBT 短路保護電路。分析與實驗結果表明,短路保護快速、安全、可靠、簡便、應用價值較
2009-10-28 10:56:53118 IGBT 柵極驅動電壓Uge1/ 理論上Uge≥Uge(th)，IGBT 即可開通；一般情況下Uge(th)＝5～6V2/ 當Uge 增加時，通態壓降減小，通態損耗減小；但IGBT 承受短路電流能力減小；當Uge
2010-03-14 18:50:4156 IGBT/FWD功率損耗模擬系統 （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 IGBT短路保護電路原理圖
2008-10-23 21:43:483576 
新型IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-05-25 09:05:201169 
器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態下的特性參數，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計算
2011-09-01 16:42:33111
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制
來將IGBT 開關損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準建模方法
2016-07-06 15:14:4727 本文根據IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結構特點設計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態的實用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高
2017-02-10 12:31:101842 
在vdc=1200v下進行了短路試驗，試驗波形如圖6所示。可見，在關斷開通短路電流和通態短路電流時，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區間內，有效地保護了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術達到了預期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數確定之后， 最終需要根據IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3730 使用的具有自關斷能力的器件，開關頻率高，廣泛應用于各類固態電源中。但如果控制不當，它很容易損壞。一般認為IGBT損壞的主要原因有兩種：一是IGBT退出飽和區而進入了放大區使得開關損耗增大;二是IGBT發生短路，產生很大的瞬態電流，從而
2017-10-09 18:27:1439 為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅動問題，本文提出了驅動電路的關鍵參數設計方案。同時，在變流器極端工況下研究了IGBT的相關特性，提出了極端工況IGBT的保護措施，包括IGBT柵極電壓應力防護、VCE電壓應力抑制、過流與短路等工況的保護措施及工作原理。
2018-06-17 09:57:0032146 
在IGBT的應用中，當外部負載發生故障，或者柵極驅動信號出現異常，或者某個IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現為橋臂內短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態下需要同時承受
2019-10-07 15:04:0024314 
變壓器的空載損耗是指變壓器的二次側開路，在一次繞組上施加額定頻率的額定電壓時產生的有功損耗。在一次繞組上施加額定電壓時，在鐵芯中產生交變磁通，從而在鐵芯中產生磁滯與渦流損耗，總稱為鐵耗。由于空載電流
2020-01-15 09:00:3724974 有關變壓器損耗的知識，介紹了變壓器的空載損耗是什么，變壓器的短路損耗是什么，變壓器的各類損耗大小與哪些因素有關，一起來學習下。 變壓器的空載損耗 變壓器的空載損耗是指變壓器的二次側開路，在一次繞組
2020-08-28 18:13:5013320 來源：羅姆半導體社區? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074458 。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。...
2021-01-21 10:28:5414 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。
2023-02-07 15:32:381759 
目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結構比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對飽和區的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過程和保護 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保護的問題 現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內短路
2023-02-23 09:57:0015 從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB
2023-01-14 10:05:301070 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進一步改善短路與通態壓降的矛盾關系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 IGBT模塊損壞時，什么情況導致短路？什么情況導致開路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設備控制。當IGBT模塊在使用過程中遭受損壞時，可能會出現短路或開路的問題。這兩種情況會對電路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291044 功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
2023-12-15 09:54:25312 
電力變壓器短路阻抗及負載損耗的測量方法? 電力變壓器是電力輸配系統中不可或缺的設備，用于變換電壓以實現電力的輸送和分配。為了確保變壓器的工作穩定和正常，必須對其短路阻抗和負載損耗進行測量。本文將詳細
2023-12-29 11:11:23429 IGBT元件的損耗總和分為：通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
由于短路會導致負載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受時間是指IGBT在短路條件下能夠持續導通而不發生故障的時間。這個參數對于系統保護策略的設計至關重要，因為它決定了系統在檢測到短路并采取措施（如關閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長
2024-02-06 16:43:251317 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點是電流繞過正常的電路路徑，通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的功率半導體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38332 IGBT應用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應用的半導體器件。在實際應用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應用中常見的短路類型。 1. IGBT內部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT開通過程發生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導體器件，常用于電力電子領域。它具有開關速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優點，因此在各種電源、驅動、變換和控制系統中得到廣泛應用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT導通過程發生的過流、短路故障 IGBT導通過程中可能發生的過流、短路故障一直是電力電子領域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導體器件，它結合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業控制和電源
2024-02-20 11:00:57205
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