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電子發燒友網>模擬技術>IGBT/功率器件>如何計算IGBT的損耗?

如何計算IGBT的損耗?

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2023-02-22 15:19:511

IGBT有哪些特點和優勢

在伺服的逆變部分、泄放部分常用到IGBT器件,那么IGBT有哪些特點和優勢呢? 說到IGBT ,就不得不提到MOSFET和BJT,這兩者在模電中有很大篇幅的介紹,而最淺顯的區別就是BJT
2023-02-22 14:00:530

開關功率器件(MOSFET IGBT)損耗仿真方法

說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關,比如工作電流,電壓,驅動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅動參數后(驅動電阻大小,驅動電壓等),開關器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543

IGBT導通損耗和開關損耗

從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受:導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子:可知,六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915

DC/DC評估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計算示例

此前計算損耗發生部分的損耗,本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。電源IC的功率損耗計算示例(內置MOSFET的同步整流型IC),圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關的部分。
2023-02-23 10:40:51705

DC/DC評估篇損耗探討-損耗的簡單計算方法

上一篇文章介紹了電源IC整體損耗計算方法,即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡單”的前提下,介紹一種利用現有數據求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:511440

如何測量功耗并計算二極管和IGBT芯片溫升

開通、導通和關斷損耗構成了 IGBT 芯片損耗的總和。關斷狀態損耗可以忽略不計,不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個能量之和乘以開關頻率。
2023-03-01 17:52:451204

IGBT結溫估算—(二)IGBT/Diode損耗計算

IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257

IGBT結溫估算—(三)熱阻網絡設計

前邊介紹了IGBT/Diode損耗計算,那么得到了損耗之后,如何轉化為溫升呢?
2023-05-26 11:24:31860

如何手動計算IGBT損耗

學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形:IGB
2023-01-14 10:05:301070

功率半導體冷知識之二:IGBT短路時的損耗

功率半導體冷知識之二:IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240

igbt軟開關和硬開關的區別

速度、效率、損耗、應用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理: 硬開關模式下,當IGBT開關從關斷狀態切換到導通狀態時,由于電流和電壓較大,會產生大量的開關損耗。而在軟開關模式下,IGBT在開關轉換過程中能夠在合適的時機通過控制電壓和電流的波形,來減少開關損耗。 開關速度: 硬開關
2023-12-21 17:59:32658

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028

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