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hbm

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hbm資訊

集邦咨詢:先進(jìn)封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張有望緩解

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,三星正積極研發(fā)HBM技術(shù),并與臺積電攜手合作,助推CoWoS工藝發(fā)展,從而擴大HBM3產(chǎn)品的銷售版圖。此外,三星于2022年加入臺積電O...

2023-12-12 標(biāo)簽:CoWoSHBM先進(jìn)封裝 542 0

機構(gòu)發(fā)布2024年全球半導(dǎo)體市場八大預(yù)測:增長率可達(dá)20%

到2024年,存儲器市場將經(jīng)歷近40%的不景氣,而且因減產(chǎn)效果,產(chǎn)品價格會上升,再加上高價hbm滲透率的提高,有望對市場增長有所幫助。idc預(yù)測說,隨著...

2023-12-08 標(biāo)簽:存儲器HBMAI芯片 1392 0

三星從日本訂購大量2.5D封裝設(shè)備,預(yù)計將為英偉達(dá)代工

據(jù)悉,三星很有可能將這些裝置作為2.5d包使用在nvidia ai gpu和hbm3芯片上。根據(jù)Shinkawa的訂單結(jié)構(gòu)分析,如果英偉達(dá)的訂單增加,三...

2023-12-07 標(biāo)簽:芯片HBM三星 961 0

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 ...

2023-12-07 標(biāo)簽:控制器內(nèi)存AI 802 0

大算力芯片里的HBM,你了解多少?

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最近,隨著人工智能行業(yè)的高速崛起,大算力芯片業(yè)成為半導(dǎo)體行業(yè)為數(shù)不多的熱門領(lǐng)域HBM(高寬帶內(nèi)存:High-bandwidthmemory)作為大算力芯...

2023-12-05 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體HBM 1913 0

SK海力士超過三星電子成為市場領(lǐng)頭羊

服務(wù)器DRAM是一種價值較高且至關(guān)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品,對企業(yè)云服務(wù)和數(shù)據(jù)中心發(fā)揮著重要作用,約占整個DRAM市場的35-40%。

2023-12-04 標(biāo)簽:英特爾DRAMSK海力士 1063 0

半導(dǎo)體設(shè)備市場向好,應(yīng)用材料Q4繼續(xù)保持增長

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)由于今年半導(dǎo)體市場復(fù)雜多變的格局,上下游也呈現(xiàn)出不同的樣貌,尤其是半導(dǎo)體設(shè)備市場。近日,半導(dǎo)體設(shè)備頭部廠商應(yīng)用材料也公布了...

2023-12-04 標(biāo)簽:應(yīng)用材料HBM半導(dǎo)體設(shè)備 1472 0

算力需求催生存力風(fēng)口,HBM競爭從先進(jìn)封裝開始

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))今年是生成式AI爆火的一年,各類基于生成式AI的工具席卷了今年的各類熱點,最近視頻領(lǐng)域Pika labs的產(chǎn)品也掀起了AI...

2023-12-03 標(biāo)簽:HBM算力先進(jìn)封裝 2424 0

HBM4為何備受存儲行業(yè)關(guān)注?

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當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來,隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標(biāo)簽:DRAMgpu內(nèi)存 516 0

傳三星電子成立下一代芯片工藝研究部門

據(jù)gartner稱,人工智能芯片市場規(guī)模有望從今年的534億美元增長到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲芯片市場上,三...

2023-11-30 標(biāo)簽:芯片人工智能HBM 500 0

HBM市場將爆發(fā)“三國之戰(zhàn)”

英偉達(dá)的圖形處理器(gpu)是高附加值產(chǎn)品,特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元(約4.65萬美元)。英偉達(dá)將在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域...

2023-11-29 標(biāo)簽:圖形處理器英偉達(dá)HBM 890 0

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

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2023-11-29 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 918 0

英偉達(dá)HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

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HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出,具有針對英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...

2023-11-28 標(biāo)簽:存儲芯片Nand flash英偉達(dá) 566 0

預(yù)計英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

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2023-11-27 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 1027 0

AI PC推動存儲規(guī)格升級 預(yù)期明年上半年DDR5將會超越DDR4

隨著三大國際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴大減產(chǎn)幅度,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,供給減少疊加AI帶動的需求擴大,存儲器市場有望揚升。

2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲器DDR4 901 0

未來四年HBM市場將飆升52%

DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。

2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片機器學(xué)習(xí) 938 0

DDR5實現(xiàn)大幅增長 美光計劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAMNANDHBM 1093 0

異質(zhì)集成時代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價值

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隨著對高性能半導(dǎo)體需求的增加,半導(dǎo)體市場越來越重視“封裝工藝”的重要性。根據(jù)這一趨勢,SK海力士正在大規(guī)模生產(chǎn)基于HBM3(高帶寬存儲器3)的高級封裝產(chǎn)...

2023-11-23 標(biāo)簽:DRAM存儲器SK海力士 1022 0

速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

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2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM帶寬機器學(xué)習(xí) 494 0

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?

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2023-11-29 標(biāo)簽:仿真HBM 818 0

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    IOT
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    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    Nexperia
    +關(guān)注
    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    COMSOL
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    基站測試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動,802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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