氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅技術(shù)

異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因?yàn)殁}礦電池與異質(zhì)結(jié)電池進(jìn)行疊層，異質(zhì)結(jié)電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結(jié)電池的產(chǎn)線無(wú)需做更改。

2024-03-27 標(biāo)簽：電池氮化硅 1936 0

光子集成芯片需要的材料有哪些

光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計(jì)。

2024-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料集成芯片氮化硅 1623 0

LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜制備

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫(xiě)，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，...

2024-01-22 標(biāo)簽：流量傳感器 mems 壓力傳感器 2084 0

MEMS工藝設(shè)計(jì)中如何實(shí)現(xiàn)應(yīng)力匹配？

相較于本征應(yīng)力，熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來(lái)實(shí)現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動(dòng)。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動(dòng)器...

2024-01-02 標(biāo)簽：mems 熱應(yīng)力氮化硅 1354 0

靶材的種類(lèi)及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaAs 1649 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復(fù)率的穩(wěn)定性，通過(guò)期望的分頻因子與參考激光器的重復(fù)率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導(dǎo)同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標(biāo)簽：激光器諧振器 OFC 843 0

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。

2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管芯片制造氮化硅 2891 0

硅基集成光量子芯片技術(shù)解析

介紹了光量子芯片在未來(lái)實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力，并對(duì)硅基集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片技術(shù)光量子 2185 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見(jiàn)的一種氣體，在CVD中通常用來(lái)提供硅的來(lái)源，用途很廣泛，我們來(lái)詳細(xì)了解一下。

2023-11-24 標(biāo)簽：CVD 氮化硅 2448 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來(lái)的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1386 0

汽車(chē)功率模塊中AMB陶瓷基板的作用及優(yōu)勢(shì)

氮化硅（Si3N4）基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級(jí)電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用。

2023-10-23 標(biāo)簽：逆變器基板功率模塊 1141 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件 SAM DBA 1520 0

介紹一種高導(dǎo)熱率PCB基板材料的制造方法

熱性能一直是PCB設(shè)計(jì)和制造工程師最關(guān)心的問(wèn)題，而具有高導(dǎo)熱率的PCB基板材料在改善PCB的熱性能方面起著重要作用。

2023-08-27 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)PCB基板氮化硅 751 0

半導(dǎo)體之ICT技術(shù)先通孔的過(guò)程詳解

對(duì)于先通孔的過(guò)程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。

2023-08-14 標(biāo)簽：CMP 光刻膠 ICT技術(shù) 2042 0

半導(dǎo)體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測(cè)應(yīng)用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問(wèn)題。EBI的應(yīng)用可以幫助提升成品率，減少半導(dǎo)體ict...

2023-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子束 2347 0

芯片制造和封測(cè)工藝簡(jiǎn)述

晶圓是制作硅半導(dǎo)體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱(chēng)晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因?yàn)檎墓?..

2023-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC 晶圓 1435 0

氮化硅是半導(dǎo)體材料嗎氮化硅的性能及用途

氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特...

2023-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化硅寬帶隙半導(dǎo)體 6585 0

氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝氮化鋁和氮化硅的性能差異

氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。

2023-07-06 標(biāo)簽：陶瓷基板氮化鋁基板氮化硅 2023 0

氮化硅陶瓷在四大領(lǐng)域的研究及應(yīng)用進(jìn)展

氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密...

2023-07-05 標(biāo)簽：gps 陶瓷氮化硅 2993 0

Science：石墨烯，再破一個(gè)新紀(jì)錄！

超材料完美吸收器層堆疊提供共振增強(qiáng)，同時(shí)充當(dāng)電接觸，誘導(dǎo)pn摻雜，從而實(shí)現(xiàn)高效快速的載流子提取。直接自由空間耦合可實(shí)現(xiàn)光功率的分布，導(dǎo)致超過(guò)100 mW...

2023-07-04 標(biāo)簽：石墨烯光電探測(cè)器氮化硅 558 0

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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氮化硅

氮化硅技術(shù)

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