羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設計者在嚴苛的工作環境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3492 晶硅太陽能電池的表面鈍化一直是設計和優化的重中之重。從早期的僅有背電場鈍化，到正面氮化硅鈍化，再到背面引入諸如氧化硅、氧化鋁、氮化硅等介質層的鈍化局部開孔接觸的 PERC/PERL設計。雖然這一結構暫時緩解了背面鈍化的問題，但并未根除，開孔處的高復合速率依然存在，而且使工藝進一步復雜。
2016-01-11 09:53:4911053 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:50907 
銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示
2022-10-17 09:29:597618 僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:221049 （干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化鋁
2015-01-07 16:15:47
工藝，以制造出可預測性能特性和故障率的可復制氮化鎵器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 計劃，WBST計劃嚴重傾向于軍事應用，不計成本地追求所需性能，但是，隨著化合物半導體提供商不斷完善其生產工藝
2017-08-15 17:47:34
基板的設備還能進一步縮小體積，4、具有極高的耐化學腐蝕性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務。終上所述，對于車用IGBT，氮化硅是再適合不過的。氮化硅陶瓷電路板可以適應高溫
2021-01-27 11:30:38
還能進一步縮小體積，節約更多空間，為新能源汽車提供更多可能性。氮化硅還具有極高的耐化學腐蝕性和良好的耐磨性能，能在汽車內部惡劣的環境下，延長電子設備的使用周期。斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務
2021-01-21 11:45:54
習的憑依，是當下智能機器人發展必不可少的一環?？茖W發展離不開基礎設施的支持，芯片和傳感器想要穩定高效的工作也需要好的助力——斯利通氮化鋁陶瓷基板（AlN）。陶瓷之所以被選中，得益于其本身優異的性能。對任何
2021-04-23 11:34:07
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
和大尺寸芯片，并且氮化鋁材質堅硬，能夠在嚴酷環境條件下照舊工作，因此可以滿足不同封裝基片的應用。（3）Si3N4陶瓷基片氮化硅陶瓷基片具有較高的理論熱導率、良好的化學穩定性能、無毒、較高的抗彎強度
2021-01-20 11:11:20
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
與MACOM的HMIC工藝制造。這種二極管是在外延晶片上用設計成可重復電特性和極低寄生的工藝制造的。該二極管完全鈍化氮化硅，并有一個額外的聚酰亞胺層劃痕保護。這些保護涂層防止在自動或手動處理過程中對接頭的損壞
2018-11-16 11:53:06
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
主要優點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導熱系數高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導熱系數比不上氮化鋁陶瓷，但可以
2016-09-21 13:51:43
等主要優點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導熱系數高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導熱系數比不上氮化鋁陶瓷
2017-05-18 16:20:14
，都在告訴我們，創新無可限量！目前來說，關于陶瓷基板比較成熟的有氧化鋁陶瓷電路板、氮化鋁陶瓷電路板，很多公司可以做3535、5050、7070等，凡億PCB可以接受客戶定制，不管是什么規格都可以制作，但是一定要滿足線間距大于20微米，更是采用全自動化的生產，無需過多的人力，也避免了很多流程上的失誤。
2020-10-23 09:05:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
公司介紹：上海施邁爾精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本著可持續發展的原則致力于研發、設計、制造、銷售以氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、石英 為主要原料的產品。產品廣泛應用
2012-03-26 11:02:31
、汽車電子、深海鉆探等領域得到廣泛應用。目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化鈹(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板產品問世，開啟散熱
2021-04-19 11:28:29
（Bulk）襯底為基礎制作了縱型氮化鎵FET，并從芯片OFF性能的角度考察了成品率（如下圖所示）。采用目前市面上已有的氮化鎵基板制作的晶片，其產出率只有33%，而采用以上的工藝，其成品率可以提高到72
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
SiC芯片面積。解決方案在于提高模塊的熱阻?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">基板功率模塊中，將模塊電絕緣到散熱器的陶瓷基板占整體熱阻的最大份額。如今，有許多具有不同機械和熱性能的材料可供選擇。表1概述了最常用的材料：氧化鋁
2023-02-20 16:29:54
實現多層化且生產效率較高。電阻常用陶瓷基板氧化鋁陶瓷基板：從現實情況來看，廣泛使用的還是Al2O3基板，同時其加工技術與其他材料相比也是最先進的。按含氧化鋁(Al2O3)的百分數不同可分為：75瓷
2019-04-25 14:32:38
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
絕緣性能好、散熱性能好、熱阻系數低、膨脹系數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點。使用氮化鋁陶瓷基板作為芯片的承載體，可以將芯片與模塊散熱底板隔離開，基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力
2017-09-12 16:21:52
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品。 該產品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
`氮化鋁陶瓷基板因其熱導率高、絕緣性好、熱膨脹系數低及高頻性低損耗等優點廣為人知，在LED照明、大功率半導體、智能手機、汽車及自動化等生活與工業領域得到大量應用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37
的要求也會越來越高。而高導熱是永遠避不開的話題，氮化鋁在目前看來，是性價比最高的基板。氮化硅陶瓷目前應用于電力電子模塊，優勢：高機械強度，韌性和導熱性氮化硅的成本高于氮化鋁基板，導熱系數在80以上。氮化硅
2021-04-25 14:11:12
) （7）光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 7、 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
氣體在加熱基板上反應或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術可以分為常壓、低壓、等離子體增強等不同技術。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質
2018-11-05 15:42:42
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
低熱量化學氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發出一種低溫化學氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:29729 針對目前氮化硅陶瓷球材料性能評價體系不完善，以及各個廠家生產的陶瓷球質量參差不齊的問題，對3個較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數進行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應用及優勢
2018-08-17 02:33:006437 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:000 氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分，據悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復管提高2個百分點以上。
2021-04-01 09:23:261413 瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經開發出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術，得到了創記錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術，得到了創紀錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。相關研究在《自然—通訊》上發表。
2021-05-24 10:43:384490 料相比，氮化硅的導通電阻更低，電源開關損耗也更低，電能的轉換效率也有所提升。在微波射頻領域，由于氮化鎵在電場下具有較高的電子速度，因此電流密度較高，加之氮化鎵又具有耐高壓的特性。因此，在微波射頻領域中使用氮化鎵對
2021-11-17 09:03:452804 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導。仿真驗證了該結構的可行性。這種結構是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉移方法獲得氮化硅上鍺結構來實現的，該結構可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571073 
關鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術給我們的現代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度，我們華林科納使用淺溝槽隔離技術將半導體制造成無漏
2021-12-28 16:38:085460 
氣相沉積裝置中分別進行10min和6h。機械微缺陷樣品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均勻性和粒徑(6h后低于2um)的結果優越，表明化學蝕刻（冷熱強酸、熔融堿或四氟化碳等離子體）對氮化硅上良好的CVD金剛石質量并不重要。 介紹 氮化硅基陶瓷被認為是金
2022-01-21 15:02:04652 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物，晶格參數為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導體材料。
2022-03-23 14:27:462292 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰，該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
氮化鋁除了是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料，還可用于熱交換器、坩堝、保護管、澆注模具、半導體靜電卡盤、壓電陶瓷及薄膜、導熱填料等。
2022-08-04 17:06:244670 硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強張力。經過氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒有被氮化硅覆蓋的區域再生長出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:057917 本文主要講解氮化鋁陶瓷基板的金屬化如何通過化學鍍銅方式。
2022-08-25 17:06:211364 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592998 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結構陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導介質的氮化硅陶瓷基板的熱傳導性是主要問題。
2022-10-13 16:29:58670 RTCVD過程可以用來沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。
2022-11-08 09:52:20616 如今高導熱氮化硅陶瓷基板因其優異的機械性能和高導熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復雜和極端環境中的應用。在這里，我們概述了制備高導熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模，高導熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標到了國際上行業領軍的質量水平，突破了西方先進國家在高導熱氮化硅陶瓷基板的技術保護和應用產品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574150 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:40820 綜合上述研究可發現，雖然燒結方式不一樣，但都可以制備出性能優異的氮化硅陶瓷。在實現氮化硅陶瓷大規模生產時，需要考慮成本、操作難易程度和生產周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結工藝是關鍵。
2022-12-06 10:30:392408 等優點，廣泛應用于電子器件封裝。 由于具有優異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優勢。以下就是區別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導熱
2022-12-09 17:18:241219 
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙半導體具有更高的擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 、碳化硅和氧化物半導體材料，其中三族化合物半導體常見的有氮化鎵和氮化鋁；氧化物半導體材料主要有氧化鋅、氧化鎵和鈣鈦礦等。第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優點
2023-02-05 15:01:485078 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:333197 
氮化鋁陶瓷具有優異的電性能和熱性能，被認為是最具有前途的高熱導陶瓷基片材料。為了封裝結構的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，氮化鋁陶瓷基板表面及內部均需要金屬化。
2023-02-07 10:01:061530 硅基氮化鎵技術是一種新型的氮化鎵外延片技術，它可以提高外延片的熱穩定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 現今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產量、汽車級CMOS生產線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學之后，該材料平臺已經成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:09878 
它的是氮化鋁陶瓷電路板。氮化鋁陶瓷是以AlN氮化鋁為主要晶相的陶瓷。其機械性能好，抗彎強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可常壓燒結。氮化鋁陶瓷具有優良的電性能（介電常數、介電損耗、體電阻率、介電強度
2023-02-16 14:44:57924 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于紫外發光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長氮化鋁(AlGaN)結構，針對278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551018 
氮化硅材料的引入，為人們提供了一個解決方案。氮化硅不僅具有多項優異的光學特性，而且氮化硅片上集成光波導的加工也能完美兼容當下標準的CMOS硅芯片制造工藝。目前，世界上僅少數幾個實驗室實現了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨環由于研磨環存在內外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環會發生共振現象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279 新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451170 
隨著新能源汽車的快速發展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠很多。那他們的散熱表現差別有多少？先說結論：差別很小，考慮裝配應用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
氮化鋁為大功率半導體優選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35879 
氮化鋁陶瓷基板的導熱系數在170-230 W/mK之間，是氧化鋁陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是鈦基板的10-20倍。這種高導熱系數的優異性能是由于氮化鋁陶瓷基板的結構和化學成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27511 氮化鋁陶瓷的特性大多數陶瓷是離子鍵或共價鍵極強的材料，具有較高的絕緣性能和優異的高頻特性，同時線膨脹系數與電子元器件非常相近，化學性能非常穩定且熱導率高，是電子封裝中常用的基板材料。長期以來
2022-09-22 09:54:42967 
的要求，傳統的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導率和較差的力學性能等，嚴重阻礙了其發展。相比于傳統陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121390 
隨著新能源汽車的快速發展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠
2023-05-07 13:13:16408 
目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發展綠色環保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56544 
氮化鋁陶瓷（AlN）因其優越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應用于IGBT模塊的研究進行深入探討。
2023-07-01 11:08:40581 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統的陶瓷有個共性，主要化學成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 
PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491776 
氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅動逆變器中的應用。
2023-10-23 12:27:13408 
這是納米碳化硅模塊燒結工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 據麥姆斯咨詢報道，經過兩年、十余次的設計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺，實現了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:54656 、結構、制備方法、特性以及應用方面存在著一些差異。以下將詳細介紹碳化硅和氮化鎵的區別。 1. 物理性質 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結構，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點、硬度、熱導率和
2023-12-08 11:28:51742 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41506
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