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標(biāo)簽 > 損耗
損耗,一般指損失,受損失或耗費(fèi)的意思。在信號(hào)專業(yè)中指信號(hào)電平或強(qiáng)度的減少,通常用分貝表示。也指沒有實(shí)際用途的功率耗散。
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高速信號(hào)損耗我們的研發(fā)工程師經(jīng)常就說一個(gè)頻率點(diǎn)和對(duì)應(yīng)的衰減值,16G看到5.6dB;或者你們把銅絲加大,看能不能干到5.1dB,按照這兩個(gè)規(guī)格分別報(bào)價(jià)和...
二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實(shí)際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個(gè)不容忽視的問題。本文將對(duì)二極管的反向恢復(fù)...
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損...
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
開關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管損耗 1581 0
電源設(shè)計(jì)工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初...
第一個(gè):阻抗值的確認(rèn)。很多人疑惑為什么要進(jìn)行阻抗值確認(rèn)?這是因?yàn)橛行┩瑯拥男盘?hào),阻抗的要求卻不一樣,比如HDMI,有些芯片設(shè)計(jì)規(guī)范的要求是100ohm,...
2024-01-08 標(biāo)簽:阻抗損耗疊層設(shè)計(jì) 486 0
本推文針對(duì)讀者提出的兩個(gè)問題進(jìn)行系統(tǒng)解答,一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗,二是如何把測(cè)試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件,便于不斷調(diào)整條件后,實(shí)現(xiàn)仿真與實(shí)測(cè)的便捷對(duì)比。
功分器是一種常用的無源器件,用于將輸入功率均勻地分配到多個(gè)輸出端口。隔離電阻則是用于隔離功分器的輸入和輸出端口之間的電路。那么,功分器加隔離電阻會(huì)對(duì)功分...
CBB電容線路損耗的計(jì)算方法主要有均方根電流法、平均電流法、電流、負(fù)載損耗小時(shí)法等。平均電流法、均方根電流法和負(fù)載損耗小時(shí)法主要用于電網(wǎng)規(guī)劃設(shè)計(jì)。具有代...
開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解
今天給大家分享的是:開關(guān)電源損耗與效率、開關(guān)晶體管損耗、開關(guān)變壓器損耗。
2023-06-16 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 2221 0
在設(shè)計(jì)DC-DC電路時(shí),經(jīng)常會(huì)考慮它的效率,90%還是在80%的效率對(duì)于一個(gè)消費(fèi)電子設(shè)備的續(xù)航來說,存在非常大的區(qū)別。
空載損耗:當(dāng)變壓器二次繞組開路,一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時(shí),所消耗的有功功率稱空載損耗。
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 1694 0
耦合器作為射頻和微波系統(tǒng)中的重要器件,可能會(huì)遇到一些常見的故障。以下是一些常見的耦合器故障情況。
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