資料介紹
提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS,該結構改善了表面電場分布,從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證,并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化,結果表明,在保證LDMOS器件參數不變的條件下,采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,橫向擴散金屬氧化物半導體)以其高功率增益、高效率及低成本等優點,被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比,已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小,柵氧化層厚度越來越薄,其柵的耐壓能力顯著下降,擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數,它不僅決定了其輸出功率,還決定了器件的耐壓能力,因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。本文將在基本LDMOS的基礎上,通過器件結構的改進來提高LDMOS的抗擊穿能力。
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