提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓能力，因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。本文將在基本LDMOS的基礎上，通過器件結構的改進來提高LDMOS的抗擊穿能力。

　　極近場EMI掃描技術

　　快速磁性極近場測量儀器可以捕獲和顯示頻譜和實時空間掃描結果的可視圖像。芯片廠商和PCB設計工程師可以掃描任何一塊電路板，并識別出50kHz至4GHz頻率范圍內的恒定或時基的輻射源。這種掃描技術有助于快速解決廣泛的電磁設計問題，包括濾波、屏蔽、共模、電流分布、抗干擾性和寬帶噪聲。在任何新PCB的開發過程中，設計工程師都必須找出設計之外的輻射體或射頻泄漏，并對其進行描述和處理以通過一致性測試。可能的輻射體包括高速、大功率器件以及具有高密度或高復雜度的器件。掃描系統以疊加在Gerber文件上的形式顯示空間輻射特性，因此測試人員可以準確地找出所有輻射問題的來源。設計工程師可以在采取了相應的解決措施之后，對器件進行重新測試并立即量化出校正設計后的效果。掃描系統由一個掃描儀、小型適配器、一個客戶提供的頻譜分析儀和運行掃描系統軟件的PC組成。臺式掃描儀包括 2，436條回路，可產生1，218個間隔為7.5mm的磁場探針，形成一個電子開關陣列并提供高達3.75mm的分辨率。系統工作頻率范圍為50kHz至4GHz，通過可選的軟件密鑰啟用。這樣，用戶就可以自行對設計進行測試，而不必依賴另外一個部門、測試工程師或進行耗時的場外測試。工程師甚至可以在診斷一個間歇故障之后，對設計進行更改，很快再進行測試。測試的結果可以對設計更改的影響進行精確的驗證。借助掃描系統，電路板設計工程師可以預先測試和解決電磁兼容問題，從而避免產生非預期的一致性測試結果。掃描儀的診斷功能可以幫助設計團隊將輻射測試時間縮短兩個數量級以上。

　　汽車廠商往往采用最新的消費電子系統來體現與其他廠商汽車的差異化，該系統必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動力系統、安全系統和其它汽車控制系統也都有同樣的要求，一旦出現故障，這些系統會導致更加嚴重的后果。汽車電子系統對于供應商提供的芯片和印制電路板的電磁輻射特別敏感。因此，SAE（原汽車工程師協會）已經定義測試規范并建立滿足電磁兼容（EMC）和電磁干擾（EMI）的需求，并對其進行了不斷的完善。采用極近場EM掃描技術，供應商的設計團隊可以通過一個桌面系統來計量并立即顯示輻射的空間和頻譜特性，避免以后在更高費用的模塊、系統或整車級測試中出現問題。本文討論幾個能夠展示這種測試價值的例子。第一個例子是關于“擴頻時鐘發生器（SSCG）”的輻射特性，分別在“關”和“開”的狀況下對其掃描。在第二個例子中，設計團隊對比了第二代半雙工串行解串器（串行器/解串器）系統與第三代全雙工系統。結果驗證了新一代功能及其優勢，不但幫助客戶縮短了產品上市時間，并在客戶中產生了積極的影響。
?