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隨著集成電路的發(fā)展，尤其是智能功率集成電路的發(fā)展，對功率器件提出了越來越高的要求。LDMOS由于它的電極均可以在器件的表面引出，因而可以與主流的VLSI集成電路丁藝技術(shù)相兼容，成為了功率集成電路的首選，并廣泛應(yīng)用于LED驅(qū)動、電源管理及汽車電子等領(lǐng)域。對于LDMOS來說，比導(dǎo)通電阻和擊穿電壓是兩個重要的參數(shù)，同時相互影響，降低比導(dǎo)通電阻和提高擊穿電壓是器件的設(shè)計(jì)與研究的熱點(diǎn)與難點(diǎn)。目前采用的技術(shù)主要有以下幾種：場板技術(shù)，橫向變摻雜技術(shù)，埋層技術(shù)，超結(jié)技術(shù)，降低表面電場（RESURF）技術(shù)等技術(shù)，它們對器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻的改善起到了很大的作用。
RESURF技術(shù)是在LDMOS器件設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用的一種技術(shù)，它是利用橫向與縱向兩個PN結(jié)的耗盡層相互作用，就是器件在表面電場達(dá)到臨界電場之前，使漂移區(qū)在縱向上完全耗盡，從而使擊穿點(diǎn)由表面轉(zhuǎn)移到體內(nèi)，進(jìn)而提高擊穿電壓。目前研究最多的是雙RESURF LDMOS器件，它是在單RESURF的基礎(chǔ)上，在漂移區(qū)頂部注入與漂移區(qū)摻雜相反的雜質(zhì)，利用其輔助耗盡來改善器件的性能。
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