幾類器件慎重采用串并聯結構設計
幾類器件慎重采用串并聯結構設計。繼電器不允許并聯一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關類管子（IGBT、三極管、MOSFET等）不用于串聯結構以解決單只耐壓不足的問題。
原因是：在希望開關管同步導通的時候，實際工作中，兩個的完全同步是做不到的，這種微小的差異會導致的潛在隱患是一只導通，另一只尚未導通時，全部的耐壓會施加到一只管子上去，反而容易導致器件的損壞，這在可靠性模型上其實是容易帶來問題的串聯模型，并不是我們從功能設計理解上的兩只一起分壓實現的并聯模型。
通過兩只繼電器并聯提供較大電流，繼電器的觸點的同步性也是難以保證的，這樣，啟動初期，一直剛導通，另一只還未導通，易引起繼電器觸點粘連。
電容的串聯是因為電容的容值誤差較大，串聯使用時，其上的分壓會偏差比較大，所以，最好在每支電容的兩端并上一只電阻（兩只阻值的比值大小與電容的容值比例大小相同，且阻值不要太小，以免靜態電流大導致靜態功耗高）
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原文標題：器件串并聯使用的設計風險
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