近期,2家臺灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 10:52:32346 利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4668 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年,國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品,尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002634 出首批2款基于第二代碳化硅(SiC)MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品,并順利通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AQG324)。
2024-03-07 09:37:27151 在通用PWM發(fā)電機(jī)中,我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎?
2024-03-01 06:34:58
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨(dú)特的共源共柵電路,常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝,形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
安全可靠的運(yùn)行帶來影響。因此針對基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元,重點(diǎn)研究了其低感設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)方法,并提出了功率單元的整體設(shè)計(jì)方案。通過優(yōu)化疊層母排的結(jié)構(gòu),將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26436 SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片,產(chǎn)能充裕,供應(yīng)穩(wěn)定,性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00917 近日,昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破,推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品(N2M120007PP0)。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ,電壓規(guī)格為1200V,將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評估了冷板性能,基于ICEPAK仿真分析了液冷 系統(tǒng)
2024-01-04 09:45:33526 摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)
2024-01-04 09:41:54599 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56473 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219 瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評鑒,評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價(jià),同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán),展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:54456 SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先,讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 可行的解決方案。 首先,讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC(碳化硅)MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET,SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能,可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強(qiáng)的保護(hù)功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能,保護(hù)
2023-12-14 11:37:10288 SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:short circuit withstand time)限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:38185 SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17222 近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計(jì)量)全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49323 有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:46211 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 ,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源
2023-11-24 18:06:32445 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝,適用于汽車應(yīng)用。針對車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)
2023-11-09 10:10:02334 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù),Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 經(jīng)過了工程批工藝開發(fā)、工藝平臺逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗(yàn)證和模塊產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證等一系列的驗(yàn)證后,中科漢韻于今年開始批量交付車規(guī)級SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品,良率達(dá)到70%以上。
2023-09-21 17:30:50315 碳化硅,或SiC,作為一種半導(dǎo)體材料,正在逐漸嶄露頭角,廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù),碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表現(xiàn)出顯著的性能提升,為眾多電子應(yīng)用帶來了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291252 ?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間,并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
2023-08-23 12:48:23368 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 對于SiC功率MOSFET技術(shù),報(bào)告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí),解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>
2023-08-03 11:09:57740 本文作者:安森美業(yè)務(wù)拓展工程師Didier Balocco 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)
2023-07-18 19:05:01462 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW,適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是,PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓?fù)?,因?yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。
2023-06-08 15:40:02691 超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074308 針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進(jìn)行對比,有效減小測量誤差;然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211841 理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 SiC功率
MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC
MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲,門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵诙搪?/div>
2023-06-01 10:12:07998 ,采用HEEV封裝創(chuàng)新設(shè)計(jì),能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能,滿足電動(dòng)汽車市場不同需求。 ? ? ? 碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作為一種寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有耐高溫、高壓,導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn),被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。如何充分發(fā)揮碳化硅器件高壓
2023-05-31 16:49:15351 想象一個(gè)場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)我開,你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:071912 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
2023-05-22 17:36:411063 MOSFET 共同封裝,以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝,具有超低柵極電荷,而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
2023年5月8日,三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,硅碳化物(SiC)功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能,為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22843 與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 SiC 器件。首先對 SiC 金屬氧化物半導(dǎo)體
2023-04-15 10:03:061452 本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負(fù)電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 ESP32-C3-MINI-1和ESP32-C3-WROOM-02是等價(jià)的,前者是在封裝中集成flash,后者是在模組中集成flash。我注意到天線尺寸也不同,這可能會引發(fā)一個(gè)問題,我們對模塊的射頻性能有影響嗎?例如,一個(gè)模塊是否具有更長的 Wifi 范圍?
2023-04-12 07:52:11
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 摘要:碳化硅(SiC)由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用,高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 3月30日,曙光集團(tuán)旗下曙光數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新技術(shù)(北京)股份有限公司(以下簡稱曙光數(shù)創(chuàng)),正式發(fā)布了“液冷集裝箱數(shù)據(jù)中心”產(chǎn)品,該產(chǎn)品具有靈活搭建配置、便于拆裝運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),可集成浸沒液冷、冷板液冷
2023-03-30 20:36:42950 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
已全部加載完成
評論
查看更多