采用的芯片特別設計于驅動六個N-MOSFET應用，看哪些大神能分析出電路應用及芯片關鍵參數指標？
2019-01-02 15:26:17
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本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 RRU都有哪些關鍵技術？影響RRU性能的關鍵指標有哪些？本文對此進行簡單的分析。
2019-10-09 10:04:1932150 
很多高頻應用，比如鎖相環、5G應用，都離不開時鐘信號。而這些高頻應用的相位噪聲往往是一個項目成敗與否的關鍵因素。本文通過比較理想時鐘信號與實際時鐘信號，講解相位噪聲的概念；然后介紹相位噪聲的兩個關鍵指標——誤差矢量幅度（EVM）與VCO阻塞；最后介紹應該如何選擇低相位噪聲晶振。
2022-07-14 10:12:063435 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
本期，我們接著介紹運放的關鍵指標，主要分為輸入輸出電壓范圍、共模抑制比、電源電壓抑制比和全諧波失真加噪聲。
2023-06-20 09:29:041310 
本期，我們接著介紹運放關鍵指標最后一部分，主要分為開環電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時間。
2023-06-25 09:40:133499 
解基站最重要的組成部分——RRU： ① 什么是RRU？ ② RRU的作用是什么？ ③?RRU有哪些關鍵指標？ 一體化基站的落幕 RRU，也就是遠端射頻單元，是現代基站的兩大核心（BBU和RRU）之一
2023-08-01 09:15:225725 
帶寬、采樣率和存儲深度是數字示波器的三大關鍵指標。相對于工程師們對示波器帶寬的熟悉和重視，采樣率和存儲深度往往在示波器的選型、評估和測試中為大家所忽視。這篇文章的目的是通過簡單介紹采樣率和存儲深度
2023-09-19 14:43:26750 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
摘要：英飛凌3.3kV的IGBT模塊已被客戶廣泛使用，它的驅動設計在許多方面都有別于1.7kV和1.2kV的模塊。所以需要對該電壓等級的IGBT的驅動電路作些細節分析。關鍵詞：3.3kV的IGBT
2018-12-06 10:06:18
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
。關鍵要點:?SiC-MOSFET體二極管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。?SiC-MOSFET體二極管的trr更高速，與Si-MOSFET相比可大幅降低恢復損耗。與IGBT的區別所謂
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜ 相關產品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數hFE較低，因而不會發生電流放大，截至目前的調查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發生這種損壞模式。關于體二極管快速恢復時的dV/dt，一般認為
2018-11-30 11:30:41
/100以下）?高重復頻率應用例?荷電粒子加速器?醫療用設備電源?等離子發生器等?1～10kV隨機脈沖發生器：13.2kV SiC開關關鍵要點:?通過SiC-MOSFET的應用實例，思考
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發活動的現狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數十
2023-02-27 13:48:12
些情況下，也觀察到最小偏差，證實了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時間
2019-07-30 15:15:17
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
ADC參數釋義AD芯片的選取針對高精度測量類的AD高速 ADC 關鍵指標的定義
2021-01-25 07:05:15
功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
PWM的說明PWM有三個關鍵指標: PWM頻率, 占空比, 區分度對于同一個時鐘頻率下工作的單片機, 區分度是和PWM工作頻率相關的, 因為總頻率是固定的, PWM工作頻率越高, 留下給區分度的部分
2021-12-13 07:50:27
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
概述 為了能夠給用戶提供可靠的通信保證，移動通信系統的無線網絡必須滿足合適的性能指標。覆蓋、容量、切換性能，都是衡量一個移動通信系統無線網絡性能的關鍵指標(KPI)。 對于TD-SCDMA系統
2019-06-05 08:14:59
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
控制器進行編程，使用數字方案控制PWM以驅動SIC MOS實現雙向DC-DC變換器功能。4、使用設備儀器測試樣機的關鍵信號點，并分析數據。預計成果1、雙向DC-DC變換器樣機一臺。2、關鍵信號的波形圖、圖片或視頻。3、相關使用報告3篇以上。我將會分享本項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果。
2020-04-24 18:08:05
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產品的規格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
先把所有端口配置為推挽輸出低電平。低功耗關鍵指令，兩條指令不可少。__HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();HAL_PWR_EnterSTANDBYMode();待機模式
2021-08-04 07:55:12
在知道用電之前，人們用蠟燭照明。這在過去是常用的能在黑暗中視物的照明方式，但燈泡的發明顯然是更好的解決方案。像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立
2018-09-03 15:17:57
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結構SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細介紹全SiC功率模塊的特點和優勢。關鍵要點
2018-11-27 16:38:04
效果， 而且容易燒毀高音喇叭。 音頻功放的關鍵指標? 音頻功放在蜂窩電話、便攜式設備以及音響等領域都得到了廣泛應用。在不同的應用領域，對于音頻功放的參數指標的側重點會有所區別。例如在手機領域側重于
2021-01-28 17:19:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的重點。然而，由于其應用范圍極為廣泛，在使用中由功率MOSFET失效造成的系統故障數不勝數?？煽啃允钱a品的重要指標，汽車工業的標準更為嚴格，這使SiC MOSFET可靠性問題成為亟待解決的重要問題。本文
2018-11-02 16:25:31
，由于時鐘信號的周期長度已經跟時鐘的上升、下降沿接近，因此此時的時鐘信號就變成了正弦波。正弦波時鐘信號波形理解了上述關鍵指標的涵義，就可以看懂所有的數字器件中最重要的時序信息，比如下面就是SPI接口
2019-07-21 21:43:14
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關頻率高達 500kHz緊湊高效的內置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級關斷功能可實現短路保護，具有可調的電流限制和延遲（消隱）時間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
。關鍵要點:?ROHM已實現采用獨有雙溝槽結構的SiC-MOSFET的量產。?溝槽結構的SiC-MOSFET與DMOS結構的產品相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
2018-12-05 10:04:41
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
評估，以改善動態特性和可靠性，并開發有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
80%的工程師使用泰克示波器來加快其設計的調試與測試工作。本文作者——泰克公司大中華區市場開發經理張天生在接受國內某知名媒體專訪時就示波器的一些關鍵指標進行了闡述，并在結尾作了趨勢展望。
2019-07-24 06:52:09
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關鍵點，接下來介紹其概要和特點。＜特點＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準諧振方式降頻功能待機時消耗電流低：19uA無負載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
芯片是基于電容變化原理、純硬件搭載、輸出高低電平信號、工業級別設計的觸摸按鍵芯片和液位檢測芯片。ESD8KV接觸、16KV空氣；EFT4KV；CS10V?？梢杂迷谑裁错椖可夏兀窟@種性能指標是否有優勢？
2023-06-21 10:51:35
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
音頻功放的關鍵指標是什么？
2021-06-03 06:00:03
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
解析LED背光電視 聚焦五項關鍵指標
如今走進各大家電賣場的電視專區，你一定會發現，液晶電視的普及方興未艾，但它已經不是幾年前那種“高高在上”的姿態，變得
2009-11-27 09:18:47853 音頻功放的關鍵指標
1 引言
音頻功放在蜂窩電話、便攜式設備以及音響等領域都得到了廣泛應用。在不同的應用領域，對于音頻功放的參數指
2009-12-24 16:45:481919 
由于ADC產品相對于網絡產品和服務器需求小很多，用戶和集成商在選擇產品時對關鍵指標的理解難免有一些誤區，接下來就這些誤區和真正的關鍵指標做一些探討
2011-06-13 11:06:321288 關鍵績效指標法(Key Performance Indicator，KPI)，它把對績效的評估簡化為對幾個關鍵指標的考核
2011-06-30 09:44:103604 為精確估算高頻工作狀態下SiC MOSFET的開關損耗及分析寄生參數對其開關特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結電容
2018-03-13 15:58:38
13 MOSFET是電子系統中的重要部件，需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。這些關鍵指標中，以靜態特性和動態特性更為重要，本文主要討論靜態特性。
2018-06-29 11:10:4811150 
本視頻介紹了英特爾?VTune?放大器的一般探索分析的關鍵指標和基本用法。
2018-11-08 06:16:003172 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-03-14 11:56:464123 ，通過天線發射出去；同時，接收用戶終端發送的信息，傳送到核心網完成信息交互。 RRU都有哪些關鍵技術？影響RRU性能的關鍵指標有哪些？本文對此進行簡單的分析。典型的RRU內部一般由4個部分組成：電源單元、收發信單元、功放單元、濾波
2020-11-12 10:39:002 了解應用在工業4.0的人工智能計劃的關鍵運營指標和關鍵績效指標（KPI），可以幫助組織通過采用更好的用例實現投資回報。
2021-02-11 16:49:001404 關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續“仿真看世界”系列一貫之風格，借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析
2021-03-11 09:22:053311 在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的，在接近最高結溫時，溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 Linux運維中常見的關鍵指標參數匯總
2021-05-05 09:06:001669 矢量網絡分析儀是用途極廣的一類儀器，它們可以表征 S 參數、匹配復數阻抗、以及進行時域測量等，也是電子工程師們常用的儀器之一，今天安泰測試就為大家解讀一下矢量網絡分析儀的關鍵技術指標，并為大家介紹幾個熱門的品牌，是安泰測試在幫助客戶選型時客戶比較認可的牌子，希望給正在選型的工程師一個參考。
2021-10-12 11:36:091589 關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量，并且較長的振鈴時間會引入EMI。
2022-08-29 15:20:381010 近年來，人機界面(Human Machine Interface, HMI)的應用成為物聯網進化的關鍵指標之一，依照「應用需求」來區分，可分為兩類：工業所需的HMI如工業自動化產業；以及大眾服務的HMI，如KIOSK。而新上市的高效能陽光下可視模塊則高度滿足上述兩類在戶外HMI上的用途。
2022-10-13 10:00:32268 SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 工業ai質檢的關鍵指標有哪些
2023-11-02 15:10:24286 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39196 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 示波器的三大關鍵指標有哪些？ 示波器是一種用來觀察和測量電信號的儀器。它通過顯示電壓隨時間變化的圖形，使我們能夠觀察信號的振幅、頻率、相位和波形等特征。在選擇和使用示波器時，有三個關鍵指標需要我們
2024-01-17 15:14:24276 能可靠保護電路。 # 2. 箝位電壓（Vc） 箝位電壓是TVS開始工作并穩定電壓范圍的關鍵。根據需要抑制的過電壓范圍，選擇合適的箝位電壓，確保TVS有效抑制過電壓。 TVS選型四個關鍵指標的大小選擇 關鍵詞：TVS選型、工作電壓、瞬態電流、箝位電壓、電容值 # 1. 工作電
2024-01-24 15:39:00174 
TVS選型四個關鍵指標關鍵詞：TVS選型、工作電壓、瞬態電流、箝位電壓、電容值1.工作電壓(Vrwm)要選擇合適的TVS，工作電壓是首要考慮的指標。根據電路的最高電壓，選擇工作電壓稍高于最高電壓
2024-01-26 08:03:32219 
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