電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā)，眾多廠(chǎng)商宣布入局或是推出車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車(chē)供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車(chē)降價(jià)潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開(kāi)始打進(jìn)20萬(wàn)內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。

最近兩家國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車(chē)。

瞻芯電子

瞻芯電子3月8日宣布，由公司開(kāi)發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。

據(jù)介紹，瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺(tái)是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠(chǎng)開(kāi)發(fā)的，自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對(duì)比上一代產(chǎn)品，通過(guò)優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%，能進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率。



這次瞻芯電子推出的三款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時(shí)因TO247-4封裝具有開(kāi)爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅(qū)動(dòng)電壓尖峰。主要適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、車(chē)載DC-DC、OBC、開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠(chǎng)商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。

這款SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V，在AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過(guò)了HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，同時(shí)對(duì)于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問(wèn)題，蓉矽的產(chǎn)品通過(guò)了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應(yīng)用場(chǎng)景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車(chē)規(guī)級(jí)可靠性要求。

小結(jié)：

2024年新能源汽車(chē)的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化階段，國(guó)產(chǎn)SiC器件的入局，可能會(huì)令SiC更快地普及到更多的電動(dòng)汽車(chē)上。