色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

jf_pJlTbmA9 ? 來源:派恩杰半導體 ? 作者:派恩杰半導體 ? 2023-12-05 14:34 ? 次閱讀

碳化硅功率器件突破了硅功率器件的性能極限,能夠應用在高溫、高頻、高壓、大電流等惡劣環境中,同時提高系統效率,降低系統成本。然而惡劣的應用環境使得碳化硅功率器件的可靠性面臨嚴峻的挑戰。由于針對碳化硅器件材料不同特性的可靠性測試研究還未成熟,碳化硅功率器件的可靠性測試基本沿用硅功率器件的可靠性測試方法。碳化硅材料的禁帶寬度相比于硅材料的更大,SiC MOSFET二極管的正向壓降VF比Si MOSFET體二極管的正向壓降VF更大,導致體二極管續流的功耗增加,因此SiC MOSFET體二極管的可靠性更值得關注。目前SiC MOSFET體二極管的可靠性研究論文和報告較少,本文針對SiC MOSFET的體二極管可靠性進行研究。

實驗過程

派恩杰根據JEDEC標準搭建一個能同時測試多顆SiC MOSFET體二極管可靠性的測試平臺,如圖1所示,每顆器件的柵極加負壓,使用風冷進行散熱。給SiC MOSFET體二極管長時間通直流電流,通過觀察器件的正向導通能力與反向阻斷能力的退化情況,研究SiC MOSFET體二極管可靠性。此平臺可以采集器件的殼溫然后通過上位機控制風扇風速實現自動測試不同的芯片結溫。

wKgaomVdjWaAed7CAAp0JXFtBJs637.png

圖1. 體二極管可靠性測試平臺

本文采用派恩杰1200V 80mΩ 3pin SiC MOSFET P3M12080K3-732303進行體二極管可靠性測試,測試條件為Vgs=-5V,Isd=5A。通過熱成像儀看器件的殼溫達到130℃左右,如圖2所示。通過公式Tj=Tc+Rjc*Pd可估算器件的結溫在150℃左右,其中Tj是器件結溫,Tc是器件殼溫,Rjc是器件結殼熱阻,Pd是器件所加功率。

wKgZomVdjWeAEIHEAAKGCDz46wc597.png

圖2. P3M12080K3體二極管可靠性殼溫

P3M12080K3體二極管加5A直流電流1000h后,典型點值閾值電壓Vth、導通電阻Rdson、耐壓Bvdss和體二極管正向導通壓降VFSD變化率如圖3、圖4、圖5、圖6所示??梢钥闯鯲th、Rdson、Bvdss和VFSD的變化率均較小,全部符合規范。

wKgaomVdjWiAGwfRAACRraXxSW4761.png

圖3. Vth隨時間變化率

wKgZomVdjWqALEmFAACTFLGW70M564.png

圖4. Rdson隨時間變化率

wKgZomVdjWuABBcyAACQU6Gi78Y774.png

圖5. Bvdss隨時間變化率

wKgaomVdjWyAbmfxAACGZbwgkfg736.png

圖6. VFSD隨時間變化率

P3M12080K3體二極管加5A直流電流1000h后,耐壓曲線、轉移曲線、輸出曲線、VFSD曲線等變化如圖7、圖8、圖9、圖10所示??梢钥闯銮€隨時間的變化均較小,器件的性能穩定。

wKgZomVdjW6AV5kzAACR26UIYFI391.png

圖7. 1000h耐壓曲線變化

wKgaomVdjW-AW3aHAAC16I2CpDg018.png

圖8. 1000h轉移曲線變化

wKgaomVdjXGAPpwFAAFyDVKJQog684.png

圖9. 1000h輸出曲線變化

wKgZomVdjXKAcwiYAADVl3t6hbI402.png

圖10. 1000h VFSD曲線變化

P3M12080K3體二極管經過1000h直流可靠性測試,器件的性能退化均比較小,器件參數變化率遠低于20%的失效標準。P3M12080K3長時間工作在較高的結溫工況且器件性能退化較小,說明了派恩杰SiC MOSFET功率器件性能穩定可靠性高。

文章來源:派恩杰半導體

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    148

    文章

    9949

    瀏覽量

    169298
  • 功率器件
    +關注

    關注

    42

    文章

    1852

    瀏覽量

    91504
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2936

    瀏覽量

    49802
  • SiC MOSFET
    +關注

    關注

    1

    文章

    76

    瀏覽量

    6375
收藏 0人收藏

    評論

    相關推薦

    MDD超快恢復二極管的耐壓與電流選型:如何確保可靠性

    至關重要的參數,直接影響器件的可靠性和系統性能。合理選型可以避免短路、過熱、過載等問題,提高系統穩定性。1.關鍵選型參數解析超快恢復二極管的選型涉及多個參數,其中耐壓和
    的頭像 發表于 04-09 10:21 ?105次閱讀
    MDD超快恢復<b class='flag-5'>二極管</b>的耐壓與電流選型:如何確保<b class='flag-5'>可靠性</b>?

    NC401-C50H噪聲二極管Noisecom?現貨庫存

    NC401-C50H噪聲二極管Noisecom 現貨庫存NC401-C50H 是 Noisecom 公司生產的噪聲二極管,屬于 Noisecom 的NC400系列噪聲
    發表于 04-08 10:01

    SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合,提升電力轉換性能

    使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOS
    的頭像 發表于 03-20 11:16 ?219次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>與肖特基勢壘<b class='flag-5'>二極管</b>的完美結合,提升電力轉換性能

    PSC1065H-Q SiC肖特基二極管規格書

    電子發燒友網站提供《PSC1065H-Q SiC肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 02-14 15:11 ?0次下載
    PSC1065<b class='flag-5'>H</b>-Q <b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>規格書

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下,半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長,BASiC基本公司
    的頭像 發表于 02-06 11:51 ?337次閱讀
    為什么BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復<b class='flag-5'>二極管</b>

    AN028:SiC功率二極管可靠性

    電子發燒友網站提供《AN028:SiC功率二極管可靠性.pdf》資料免費下載
    發表于 01-23 16:38 ?0次下載
    AN028:<b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>二極管</b>的<b class='flag-5'>可靠性</b>

    雙相脈沖 轉換成單相脈沖,加普通二極管實現會不會可靠性很低

    想問一下雙相脈沖 轉換成單相脈沖,加普通二極管實現會不會可靠性很低 選用怎樣的二極管,阻抗匹配設計一般是怎樣的? 之前記得放大器有50Ω這種。非常感謝!
    發表于 01-20 09:48

    1000字搞懂MOSFET規格書中體二極管的關鍵參數以及電路設計關注點

    Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET二極管,我們知道了MOSFET二極管
    的頭像 發表于 12-08 01:10 ?2299次閱讀
    <b class='flag-5'>1000</b>字搞懂<b class='flag-5'>MOSFET</b>規格書中體<b class='flag-5'>二極管</b>的關鍵參數以及電路設計關注點

    超結MOSFET二極管性能優化

    超結MOSFET二極管性能優化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
    的頭像 發表于 11-28 10:33 ?504次閱讀

    PiN二極管SiC二極管的區別

    PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個方面存在顯著差異,這些差異主要體現在材料特性、工作性能、應用場景以及發展趨勢等方面。以下是對兩者區別的詳細分析。
    的頭像 發表于 09-10 15:40 ?692次閱讀

    SiC二極管的工作原理和結構

    SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導體材料的重要應用之一,其工作原理和結構在電力電子領域具有獨特的重要。以下將詳細闡述SiC
    的頭像 發表于 09-10 15:09 ?1754次閱讀

    SiC二極管概述和技術參數

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管
    的頭像 發表于 09-10 14:55 ?1967次閱讀

    功率MOSFET二極管連續載流能力

    電子發燒友網站提供《功率MOSFET二極管連續載流能力.pdf》資料免費下載
    發表于 09-03 11:41 ?0次下載
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>體</b><b class='flag-5'>二極管</b>連續載流能力

    肖特基二極管與其他二極管的區別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢壘二極管,是一種具有特殊結構和優異性能的半導體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管、鍺
    的頭像 發表于 07-24 15:05 ?8312次閱讀

    Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關電源設計能效和可靠性

    設計能效和可靠性。 日前發布的新一代 SiC 二極管包括?5 A 至 40 A 器件,采用?TO-220AC?2L、TO-247AD 2L?和?TO-247AD 3L?插
    的頭像 發表于 07-05 09:36 ?905次閱讀
    Vishay威世新型第三代1200 V <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,提升開關電源設計能效和<b class='flag-5'>可靠性</b>
    主站蜘蛛池模板: 亚洲国产精品无码2019 | 双性人皇上被c到哭 | 国产午夜不卡 | 国产日韩欧美另类 | 乌克兰14一18处交见血 | 国产性夜夜春夜夜爽1A片 | 婬香婬色天天视频 | 俄罗斯老妇女BBXX | 午夜影院一区二区三区 | 亚洲 日韩 欧美 另类 蜜桃 | 国产精品2020观看久久 | 亚洲视频免费观看 | 无码骚夜夜精品 | 江苏电台在线收听 | 艳鉧动漫片1~6全集在线 | 午夜片神马影院福利 | 护士一级片 | 国产午夜在线观看视频播放 | GAY东北澡堂激情2022 | 蜜芽亚洲欧美一区二区电影 | 国产女合集第六部 | 共妻肉多荤文高h一女n男 | 国产在线精品亚洲观看不卡欧美 | 妻子的妹妹在线 | 色窝窝777欧美午夜精品影院 | 久久欧洲AV无码精品色午夜麻豆 | 久久人妻少妇嫩草AV無碼 | 晚夜免费禁用十大亏亏 | 欧美特黄99久久毛片免费 | 夜色伊甸园 | 男人J桶进男人屁股过程 | 国产精品亚洲视频在线观看 | 精品久久久久久无码人妻国产馆 | 色综合欧美色综合七久久 | 亚洲日本乱码中文论理在线电影 | 国产精品永久在线 | 欲乱艳荡少寡妇全文免费 | 日本激情网址 | 日产2021免费一二三四区在线 | 国产睡熟迷奷系列网站 | 亚洲国产欧美日韩在线一区 |

    電子發燒友

    中國電子工程師最喜歡的網站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品