意法半導(dǎo)體（ST）推出先進(jìn)單晶片數(shù)位動(dòng)作控制器，為工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)藥制造商實(shí)現(xiàn)更安靜、更精巧、更輕盈、更簡(jiǎn)單且更高效的精密動(dòng)作和定位系統(tǒng)。 意法半導(dǎo)體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:08
1799 引言 近年來(lái)，隨著集成電路的微細(xì)化，半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b class="flag-6" style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中，各工序之間進(jìn)行晶片的清洗，清洗工序
2021-12-23 16:43:041104 
關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會(huì)給半導(dǎo)體器件帶來(lái)什么樣
2021-12-29 10:38:322176 
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:221755 
以及實(shí)際上能夠接合任何種類的晶片材料。粘合晶片鍵合不需要特殊的晶片表面處理或平面化步驟。晶片表面的結(jié)構(gòu)和顆粒可以被容忍，并通過(guò)粘合材料得到一定程度的補(bǔ)償。也可以用選擇性粘合晶片鍵合來(lái)局部鍵合光刻預(yù)定的晶片區(qū)域。粘合晶片鍵合可應(yīng)用于先進(jìn)微電子和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制造、集成和封裝。
2022-04-26 14:07:043113 
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長(zhǎng)，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見(jiàn)的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴荆諝庵泻懈叨鹊挠袡C(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來(lái)了許多令人頭痛的問(wèn)題。
2022-07-08 17:18:503378 
半導(dǎo)體制造中需要的單晶（單晶）是原子的規(guī)則排列。有多晶（許多小的單晶）和非晶硅（無(wú)序結(jié)構(gòu)）。根據(jù)晶格的取向，硅片具有不同的表面結(jié)構(gòu)，從而影響電荷載流子遷移率或在濕化學(xué)中的行為等各種性質(zhì)、硅的各向異性腐蝕。
2022-07-26 17:16:492866 
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
在當(dāng)今的器件中，最小結(jié)構(gòu)的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設(shè)備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過(guò)程的重要性正在不斷增長(zhǎng)。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11865 
本實(shí)驗(yàn)通過(guò)這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組，進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過(guò)最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質(zhì)粒子下。
2022-05-16 15:00:111067 
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
集成電路生產(chǎn)流程見(jiàn)下圖:[img][/img]整個(gè)流程分為六個(gè)部分：單晶硅片制造，IC設(shè)計(jì)，光罩制作，IC制造，IC測(cè)試和封裝。1.IC生產(chǎn)流程 [單晶硅片制造] 單晶硅片是用來(lái)制造IC的，單晶
2019-01-02 16:28:35
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)是改進(jìn)自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現(xiàn)有
2021-07-08 13:11:24
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
在回流焊接過(guò)程中，使焊球有足夠的塌陷，讓最小的焊球亦能 接觸焊盤并焊接完好。但焊盤太大，會(huì)減小器件和阻焊膜之間的間隙，從而影響底部填充工藝。在設(shè)計(jì)時(shí)需要考 察供應(yīng)商真正的制造能力。倒裝晶片焊盤
2018-11-27 10:47:46
的作用：1.通過(guò)減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果。2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。氣相外延爐氣相外延是一種單晶薄層生長(zhǎng)方法。是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)
2018-09-03 09:31:49
、劃片后清洗設(shè)備、硅片清洗腐蝕臺(tái)、晶圓濕法刻蝕機(jī)、濕臺(tái)、臺(tái)面腐蝕機(jī)、顯影機(jī)、晶片清洗機(jī)、爐前清洗機(jī)、硅片腐蝕機(jī)、全自動(dòng)動(dòng)清洗臺(tái)、兆聲波清洗機(jī)、片盒清洗設(shè)備、理片機(jī)、裝片機(jī)、工作臺(tái)、單晶圓通風(fēng)柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
致密的聚合高分子保護(hù)膜，以起防蝕作用。 中央空調(diào)清洗過(guò)程五：加入緩蝕劑，避免金屬生銹，同時(shí)加入阻垢劑，通過(guò)綜合作用，防止鈣鎂離子結(jié)晶沉淀。并定期抽驗(yàn)，監(jiān)控水質(zhì)。 中央空調(diào)清洗方法 中央空調(diào)清洗
2010-12-21 16:22:40
綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:21
0 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進(jìn)入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現(xiàn)在只需單晶片之專用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222075 
清洗軸承的正確方法： 1、 在使用進(jìn)口軸承的過(guò)程，定期清洗是非常重要的。如何正確清洗進(jìn)口軸承？先將進(jìn)口軸承拆下檢查時(shí)，先用攝影等方法做好外觀記錄。
2010-10-28 17:33:513508 新唐科技，宣布推出業(yè)界第一顆單晶片數(shù)位音訊 IC-- ChipCorder ISD2100，協(xié)助工業(yè)與消費(fèi)性產(chǎn)品制造商以符合高經(jīng)濟(jì)效益的方式
2011-07-04 09:06:10829 威信科電(WonderMedia)宣布整合威信科電 PRIZM WM8720 系統(tǒng)單晶片平臺(tái)的 Intel WiDi 產(chǎn)品于2012年美國(guó)消費(fèi)電子展(CES)展出。其中包括英特爾將展示寶龍達(dá)制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 顯
2012-01-17 09:41:091396 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案 結(jié)合2.4GHz、低功耗無(wú)線電及電容式觸控功能 Cypress宣佈推出新款整合無(wú)線電與觸控感測(cè)器電路的單晶片解決方案，能夠支援無(wú)線
2012-10-26 09:24:511406 Silicon Laboratories （芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司）宣佈推出數(shù)位相對(duì)濕度（RH）和溫度「單晶片感測(cè)器」解決方案。新型Si7005感測(cè)器透過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)CMOS基礎(chǔ)上融合混合訊號(hào)IC製造技術(shù)，并採(cǎi)用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
2012-11-13 09:26:571023 TI的CC2430單晶片機(jī)的范例程式
非常實(shí)用的示例代碼
2015-12-29 15:43:281 淀積所檢測(cè)出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實(shí)能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。 絕緣體上的單晶硅（SOI）材料的制造方法 本發(fā)明
2017-09-28 16:35:3018 聯(lián)發(fā)科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系統(tǒng)單晶片，其結(jié)合 CPU 與GPU的升級(jí)，實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)大的 AI 處理能力，預(yù)計(jì)將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083913 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶
2018-11-19 08:00:0024 供應(yīng)則要增添純水制造設(shè)備。? 三種方法都用了超聲波清洗儀器。第一種是常規(guī)液體清洗方法，第二種是改進(jìn)型含氟溶劑清洗方法，增添汽相清洗工藝，單純用超聲波清洗或單純用汽相清洗方法效果都不好。第三種是以純水溶劑取代含氟溶劑，符合世界限制和停止氟里昂生產(chǎn)和應(yīng)用，大勢(shì)所趨，對(duì)環(huán)保有利。
2018-12-20 15:53:102107 同上，如果沒(méi)有符合要求的純水供應(yīng)則要增添純水制造設(shè)備。? 綜上所述，三種方法共同利用超聲波清洗，這是不可缺少的。第一種為常規(guī)液體清洗方法，第二種為改進(jìn)型含氟溶劑清洗方法，增添汽相清洗，單純用超聲波
2019-01-04 15:58:561487 首先估算清洗劑原液用量：方法一、根據(jù)冷凝器的換熱面積及結(jié)垢厚度×水垢比重算出垢的重量后×4就是清洗劑的用量；方法二、冷凝器的外形體積＋清洗管線容積后再÷4就是清洗劑的初始用量；
2019-08-14 14:05:1813690 對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。
2020-07-04 10:32:521862 該團(tuán)隊(duì)展示了一種通用可行的基于激光熱效應(yīng)的再結(jié)晶方法，可制造從微米到納米尺度直徑的超長(zhǎng)SnSe單晶纖維。實(shí)驗(yàn)證明SnSe單晶體，除常見(jiàn)的Pnma和Cmcm相外，存在穩(wěn)定的單晶巖鹽Fm-3m相。
2020-09-01 10:53:322593 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999 1月14日消息 盛美半導(dǎo)體官方發(fā)布，1 月 8 日，盛美半導(dǎo)體首臺(tái)應(yīng)用于大功率半導(dǎo)體器件制造的新款 12 寸單晶圓薄片清洗設(shè)備已通過(guò)廈門士蘭集科量產(chǎn)要求，提前驗(yàn)收！該設(shè)備于 2020
2021-01-14 16:12:501940 半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 13:56:5138 通過(guò)對(duì) Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 在實(shí)際清洗處理中，常采用物理、或化學(xué)反應(yīng)的方法去除;有機(jī)物主要來(lái)源于清洗容積、機(jī)械油、真空脂、人體油脂、光刻膠等方面，在實(shí)際清洗環(huán)節(jié)可采取雙氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相應(yīng)半導(dǎo)體單晶拋光片
2021-06-20 14:12:151150 
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