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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>一種新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)

一種新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)

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2021-06-23 10:42:4736

酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系統(tǒng)

[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線(xiàn)的工作對(duì)象是硅晶片,而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074

多晶硅薄膜后化學(xué)機(jī)械拋光的新型清洗解決方案

索引術(shù)語(yǔ)—清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)了新型清洗液,在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
2022-01-26 17:21:18550

半導(dǎo)體晶圓清洗站多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)的討論

半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過(guò)使用高純化學(xué)清洗或蝕刻來(lái)去除晶片上的顆?;蛉毕荨U(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-02-22 13:47:511696

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

和極低溫的關(guān)于向粒子噴射氮?dú)馊苣z等“清洗能力相關(guān)技術(shù)”進(jìn)行了大量研究;另一方面,關(guān)于通過(guò)清洗暫時(shí)遠(yuǎn)離晶片的粒子,重新附著到晶片上,進(jìn)行葉片式清洗,在干燥時(shí)晶片和保持晶片的轉(zhuǎn)盤(pán)高速旋轉(zhuǎn)。
2022-02-22 16:01:08904

晶片清洗是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)基礎(chǔ)步驟

清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。 介紹 半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì),其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是,它可以摻雜
2022-02-23 17:44:201426

清洗半導(dǎo)體晶片的方法說(shuō)明

摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100,該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿(mǎn)液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927

濕法清洗系統(tǒng)對(duì)晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對(duì)晶片清洗的影響。兩種類(lèi)型的泵,例如隔膜泵和離心泵,用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明,泵送方法對(duì)清洗性能有很大影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,在 MLC
2022-03-02 13:56:46521

半導(dǎo)體工藝—晶片清洗工藝評(píng)估

摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù),其中裸露的硅晶片浸泡在充滿(mǎn)顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:502588

晶片清洗及其對(duì)后續(xù)紋理過(guò)程的影響

殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅,這些殘留物可以通過(guò)鋸切過(guò)程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面,為了去除這些殘留物,需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來(lái)補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320

新型化學(xué)晶片清洗技術(shù)詳解

本文介紹了新興的全化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ESH)效益和考慮因素、技術(shù)狀態(tài)和供應(yīng)商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57308

單片SPM系統(tǒng)的清洗技術(shù)

單片SPM系統(tǒng)使用了大量的化學(xué)物質(zhì),同時(shí)滿(mǎn)足28nm以下的清潔規(guī)格。 本文描述了在集成系統(tǒng)Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統(tǒng)和單晶片清洗,結(jié)果達(dá)到了技術(shù)規(guī)范,使用了不到單晶片系統(tǒng)中使用的80%的SPM化學(xué)物質(zhì)。
2022-04-01 14:22:551155

半導(dǎo)體制造過(guò)程中的硅晶片清洗工藝

在許多半導(dǎo)體器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中,各種加工步驟可分為四大類(lèi),即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:332948

一種除去晶片表面有機(jī)物的清洗方法

法與添加臭氧的超純水相結(jié)合的新清洗法,與以往的方法相比,具有更好的清洗能力,在抑制自然氧化膜生成的同時(shí),可以在短時(shí)間內(nèi)完全除去晶片表面的有機(jī)物。
2022-04-13 15:25:211593

濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明,表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性:隨著硅基底的微粗糙度的增加,氧化物的微電擊穿會(huì)降解。利用
2022-04-14 13:57:20459

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開(kāi)的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種技術(shù),它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11621

溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)概述

引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議,其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠(chǎng)中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044

使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片的工藝研究

表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明,振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效,并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291

降低超薄柵氧化層漏電流的預(yù)氧化清洗方法

華林科納使用多步清洗工藝清洗晶片的半導(dǎo)體襯底表面,其中清洗工藝的最后一步包括用HMSO和HCO的溶液清洗,由此在晶片表面上形成化學(xué)氧化物初始層。此后,晶片的表面被氧化以形成熱氧化層,其中在集成電路的制造中,化學(xué)氧化
2022-06-17 17:20:40783

單次清洗晶圓的清洗方法及解決方案

本文講述了我們?nèi)A林科納的一種在單個(gè)晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法,該方法涉及在單一晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨(NH-OH)、過(guò)氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑
2022-06-30 17:22:112101

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽(tīng)起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578

晶片清洗技術(shù)

的實(shí)驗(yàn)和理論分析來(lái)建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理,并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451025

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù),如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液,會(huì)產(chǎn)生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211021

激光清洗技術(shù)的原理、類(lèi)型及應(yīng)用

激光清洗技術(shù)是激光技術(shù)在工程領(lǐng)域的一種成功應(yīng)用,其基本原理是利用激光能量密度高的特點(diǎn),使激光與工件基底上附著的污染物相互作用,以瞬間受熱膨脹、熔化、氣體揮發(fā)等形式與工件基底分離。激光清洗技術(shù)具有高效
2023-10-29 08:07:49883

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