羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3492 保持該技術(shù)的高對比度。討論了氟化氫在水溶液中的分解，并應(yīng)用氟化氫蝕刻二氧化硅的反應(yīng)動力學(xué)獲得了蝕刻機理的信息。因此，分析了蝕刻速率的濃度依賴性，發(fā)現(xiàn)蝕刻過程可以描述為HF或HF 2的侵蝕，其由H+離子的存在催化支持。 我們將系統(tǒng)地研
2021-12-23 16:36:591300 關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結(jié)果表明，在室溫下，非晶相的腐蝕速率是純堇青石晶體的218
2022-01-04 14:39:281654 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:50907 
銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示
2022-10-17 09:29:597613 、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
基板在電力電子模塊技術(shù)中，主要是作為各種芯片(IGBT芯片、Diode芯片、電阻、SiC芯片等)的承載體，陶瓷基板通過表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接，功能近似于PCB板。氮化鋁陶瓷基板具有
2017-09-12 16:21:52
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
設(shè)備載荷，但同時對散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進，更匹配，更環(huán)保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。為什么說氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？氮化硅在高溫下具有高強度和斷裂韌性。可以
2021-01-21 11:45:54
的振動和沖擊力，機械強度要求高。這就不得不提到我們今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的優(yōu)點1、在高溫下具有高強度和斷裂韌性。2、散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時具有極高的耐熱沖擊性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環(huán)氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區(qū)別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區(qū)別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
的能量，可以割穿各種金屬板材，如銅板、鋁板、鐵板、鋼板、鈦板、鍍鋅板、冷軋板、熱軋板等。還可以切割海綿板、泡沫板、有機玻璃、纖維板、玻璃、軟膠板、硬膠板、陶瓷、大理石、花崗巖等非金屬材料。水切割
2018-07-18 11:01:13
`陶瓷封裝的優(yōu)點：1) 在各種IC元器件的封裝中，陶瓷封裝能提供IC芯片氣密性的密封保護，使其具有優(yōu)良的可靠度；2) 陶瓷被用做IC芯片封裝的材料，是因其在電、熱、機械特性等方面極其穩(wěn)定，而且它
2019-12-11 15:06:19
和大尺寸芯片，并且氮化鋁材質(zhì)堅硬，能夠在嚴(yán)酷環(huán)境條件下照舊工作，因此可以滿足不同封裝基片的應(yīng)用。（3）Si3N4陶瓷基片氮化硅陶瓷基片具有較高的理論熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性能、無毒、較高的抗彎強度
2021-01-20 11:11:20
的能量，可以割穿各種金屬板材，如銅板、鋁板、鐵板、鋼板、鈦板、鍍鋅板、冷軋板、熱軋板等。還可以切割海綿板、泡沫板、有機玻璃、纖維板、玻璃、軟膠板、硬膠板、陶瓷、大理石、花崗巖等非金屬材料。水切割
2018-07-13 17:15:35
與MACOM的HMIC工藝制造。這種二極管是在外延晶片上用設(shè)計成可重復(fù)電特性和極低寄生的工藝制造的。該二極管完全鈍化氮化硅，并有一個額外的聚酰亞胺層劃痕保護。這些保護涂層防止在自動或手動處理過程中對接頭的損壞
2018-11-16 11:53:06
失真(DPD)來修正，但實踐表明，碳化硅基氮化鎵器件實現(xiàn)DPD優(yōu)化相當(dāng)困難。碳化硅中的電荷捕獲效應(yīng)被認(rèn)為是由于其硅結(jié)構(gòu)中的晶格 缺陷所致，最終導(dǎo)致功率放大器的線性化困難MACOM氮化鎵的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
主要優(yōu)點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應(yīng)用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導(dǎo)熱系數(shù)高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷，但可以
2016-09-21 13:51:43
等主要優(yōu)點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應(yīng)用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導(dǎo)熱系數(shù)高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷
2017-05-18 16:20:14
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復(fù)雜。另一個重要的優(yōu)點是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質(zhì)水溶液中(光)電化學(xué)行為的基礎(chǔ)研究結(jié)果，以及在
2021-10-13 14:43:35
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng)，接下來又產(chǎn)生更多的熱，這樣進行下去會
2018-12-21 13:49:20
公司介紹：上海施邁爾精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本著可持續(xù)發(fā)展的原則致力于研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售以氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、石英 為主要原料的產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2012-03-26 11:02:31
、汽車電子、深海鉆探等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化鈹(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板產(chǎn)品問世，開啟散熱
2021-04-19 11:28:29
次，與之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？原因是，在 MOS場效應(yīng)管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化鎵晶片面臨三大難題」（森
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
（Al2O3），氮化硅（Si3N4）和氮化鋁（AlN）。 今天的標(biāo)準(zhǔn)是氧化鋁，在熱/機械行為和成本之間提供了良好的權(quán)衡。AlN的導(dǎo)熱系數(shù)是Al2O3的9倍，但機械穩(wěn)定性較差。這一弱點必須通過增加厚度來抵消
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
`石材拼花和陶瓷拼花，在建材行業(yè)中是個常見的詞眼，但是很多人都不知道是怎樣制作出來的一種產(chǎn)品，當(dāng)一幅華麗漂亮的拼花呈現(xiàn)在人們眼前，那它在制作過程中可是經(jīng)過很多道工序的啊呢！首先，設(shè)計部確認(rèn)彩圖與客戶
2018-07-18 14:50:30
是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么用LABVIEW索引出對應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
`氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點廣為人知，在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機、汽車及自動化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37
這些產(chǎn)品芯片材料都是硅，芯片和氮化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)更加接近，兩者結(jié)合在熱變形中，不會異變或者脫落，可以讓芯片更好的使用。未來氮化鋁的應(yīng)用會越來越多，產(chǎn)品在越做越小的同時，功能越來越強大，對此基板
2021-04-25 14:11:12
刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層 12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區(qū) 13、熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重
2011-12-01 15:43:10
的能量，可以割穿各種金屬板材，如銅板、鋁板、鐵板、鋼板、鈦板、鍍鋅板、冷軋板、熱軋板等。還可以切割海綿板、泡沫板、有機玻璃、纖維板、玻璃、軟膠板、硬膠板、陶瓷、大理石、花崗巖等非金屬材料。水切割
2018-07-13 16:00:19
`石材拼花和陶瓷拼花，在建材行業(yè)中是個常見的詞眼，但是很多人都不知道是怎樣制作出來的一種產(chǎn)品，當(dāng)一幅華麗漂亮的拼花呈現(xiàn)在人們眼前，那它在制作過程中可是經(jīng)過很多道工序的呢！首先，設(shè)計部確認(rèn)彩圖與客戶
2018-07-18 13:55:22
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
氮化硅，刻蝕漿料主要利用釋放的氟化氫來刻蝕。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻擋膜，一次性擴散。困難在，漿料的印刷性能，擴散均勻性，印刷對齊。 三、 直接印刷掩膜層 特點：要求掩膜的印刷特性要好，抗
2018-09-26 09:44:54
的能量，可以割穿各種金屬板材，如銅板、鋁板、鐵板、鋼板、鈦板、鍍鋅板、冷軋板、熱軋板等。還可以切割海綿板、泡沫板、有機玻璃、纖維板、玻璃、軟膠板、硬膠板、陶瓷、大理石、花崗巖等非金屬材料。水切割
2018-07-09 11:27:02
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:29729 對于我們常用的不可充電的原電池，國際標(biāo)準(zhǔn)IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241373 針對目前氮化硅陶瓷球材料性能評價體系不完善，以及各個廠家生產(chǎn)的陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問題，對3個較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 本文主要介紹了配比鹽霧試驗所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:000 據(jù)外媒報道，美國倫斯勒理工學(xué)院（Rensselaer Polytechnic Institute）的工程師，采用水溶液電解質(zhì)生產(chǎn)電池。比起傳統(tǒng)有機電解質(zhì)，新電池更安全、性價比更高、性能良好。 在電池
2020-10-29 22:27:00635 瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392333 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571072 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:16905 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無漏
2021-12-28 16:38:085458 
氣相沉積裝置中分別進行10min和6h。機械微缺陷樣品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均勻性和粒徑(6h后低于2um)的結(jié)果優(yōu)越，表明化學(xué)蝕刻（冷熱強酸、熔融堿或四氟化碳等離子體）對氮化硅上良好的CVD金剛石質(zhì)量并不重要。 介紹 氮化硅基陶瓷被認(rèn)為是金
2022-01-21 15:02:04652 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強張力。經(jīng)過氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:057914 在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592993 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結(jié)果表明，強吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461451 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問題。
2022-10-13 16:29:58668 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圓環(huán)先進陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標(biāo)到了國際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進國家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護和應(yīng)用產(chǎn)品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574149 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:40820 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:392407 等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優(yōu)勢。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:241219 
石英坩堝和石墨坩堝升級換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效 石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用 目前，國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅和拉制光伏單晶硅常用的是石英坩堝配合石墨坩堝
2022-12-14 16:27:301260 
現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:09878 
。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，被認(rèn)為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:470 國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:551016 
氮化硅材料的引入，為人們提供了一個解決方案。氮化硅不僅具有多項優(yōu)異的光學(xué)特性，而且氮化硅片上集成光波導(dǎo)的加工也能完美兼容當(dāng)下標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅芯片制造工藝。目前，世界上僅少數(shù)幾個實驗室實現(xiàn)了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達(dá) 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121383 
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56543 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)品。氫氟酸能夠與SiO2發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認(rèn)知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個共性，主要化學(xué)成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 
這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝，使用銅鍵合技術(shù)，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達(dá)175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 據(jù)麥姆斯咨詢報道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:54654 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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