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電子發燒友網>今日頭條>?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協議擴展到12nm工藝

?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協議擴展到12nm工藝

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高級存儲器接口 IP 解決方案擴展到 SF3 并支持具有豐富接口協議的完整 SF5A 設計 IP 組合 中國上海,2023 年 6 月 16 日——楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ
2023-06-16 12:15:06412

求分享NM1200和NM1330詳細的數據手冊

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2023-06-15 08:57:31

中芯國際下架14nm工藝的原因 中芯國際看好28nm

的基礎上,實現了國內14nm 晶圓芯片零的突破,并在梁孟松等專家的帶領下,向著更加先進的芯片制程發起沖鋒。 然而,最近在中芯國際的公司官網上,有關于14nm芯片制程的工藝介紹,已經全部下架,這讓很多人心存疑惑,作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117913

揭秘半導體制程:8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰

在探討半導體行業時,我們經常會聽到兩個概念:晶圓尺寸和工藝節點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
2023-06-06 10:44:001421

1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403

三種不同的存儲芯片性能比較

為了進行性能比較,使用了三種不同的存儲芯片,即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788

HPM6750手冊中支持256MB,但是地址線只有13位,是否支持擴展到256MB?

HPM6750手冊中支持256MB,但是地址線只有13位. 是否支持擴展到256MB?
2023-05-26 07:24:38

AI助力設計工藝遷移,破解“缺芯”難題

造成芯片短缺的原因十分復雜,其中之一在于制造產能的缺口不均。傳統工藝節點的制造產能明顯不足,但12nm、16nm工藝節點的產能卻仍有富余,因此前者受到的影響遠大于后者。有數據顯示,全球每年
2023-05-25 14:32:27751

請問SPC5644的wafer有多少nm

SPC5644的wafer有多少nm
2023-05-25 08:46:07

請問S9S12G128的wafer有多少nm

S9S12G128的wafer有多少nm
2023-05-24 07:38:27

三大頂流半導體廠商高端工藝逐鹿,你更看好誰

在代工行業,采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年,臺積電(TSMC)是業界唯一同時使用7nm和5nm工藝節點用于IC制造的企業,此舉也使得TSMC每片晶圓的總收入大幅增加,達到1634美元。這一數字比GlobalFoundries高66%,是UMC和中芯國際的兩倍多。
2023-05-20 14:58:50628

Cadence 發布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

3nm 時代來臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是
2023-05-19 16:25:12784

可以將ESP Basic擴展到ESP32嗎?

,這些庫肯定會讓他建立很多偉大的項目并學習大量關于 MCU 和 IOT 的問題,你打算將 ESP Basic 擴展到 ESP32 嗎 ?
2023-05-10 07:55:04

505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw

1300NM 金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座,在其內部安裝芯片或基板并進行鍵合連接,外引線通過金屬-玻璃(或陶瓷)組裝工藝穿過金屬外殼,將內部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542

如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM

我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數據表聲明它與 SRAM 接口兼容但是,通過比較 MR5A16A 數據表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33

先進制程工藝止步14nm制程的原因有哪些?

臺積電的16nm有多個版本,包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(16FF +)和16nm FinFET Compact技術(16FFC)。
2023-04-14 10:58:15636

45nm工藝直躍2nm工藝,日本芯片工藝憑什么?

搞定2nm工藝需要至少3方面的突破,一個是技術,一個是資金,一個是市場,在技術上日本是指望跟美國的IBM公司合作,后者前兩年就演示過2nm工藝,但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別,距離量產要很遠。
2023-04-14 10:24:55507

NETSOL串行MRAM產品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758

MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

的可擦寫次數多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣,肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優勢?

8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優點與富士通FRAM相比,升級Everspin MRAM具有許多優勢:?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數
2023-04-07 16:26:28

ESP32擴展

ESP32擴展板ESP32 30P DEVKIT V1電源板模塊 ESP32S開發板擴展
2023-04-04 11:05:05

MRAM芯片應用于PLC產品上的特性

在PLC(可編程邏輯控制器)產品中,MRAM芯片的應用也日漸普及,本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商:吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169

擴展到900V的氮化鎵產品滿足汽車、家電及工業類應用需求

鎵(GaN)產品。PI之前有650V硅器件,后來發布的氮化鎵器件是750V,現在把氮化鎵產品擴展到900V,以滿足汽車、家電及工業類應用的需求。
2023-03-24 10:28:28609

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