全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:52
1022 GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電流損耗會導致電流崩潰。器件關閉和熱電子
2021-03-22 12:42:238435 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅動的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器階段提供的優勢。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
使用較低的Rds（on）可以降低傳導損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態損耗。當GaN與鋁基異質結構結合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293609 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
2023-11-27 17:12:011021 
D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術 （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優異的性能。
2020-07-06 14:10:191024 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:001800 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機，綜上所述這類器件有如下優點：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
各位大俠，小女子在做半導體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數是什么？任何經驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低電流和寬帶應用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內運行。該器件采用行業標準
2021-08-04 11:50:58
解決的問題，以開發適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
為了滿足數據中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請提前幫助，謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN的極性特征測量及應用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強的半導體材料,它具有極強的表面特征,是目前發現的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現出體材料的特征,它的測量要用一些特
2010-01-02 14:15:26
10 Toshiba推出C-BAND SATCOM應用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331756 科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
2011-06-23 09:09:212124 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:1123 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應商。
2017-10-18 17:22:0710585 本文討論了紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經驗測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經驗驗證。通過承認紅外顯微鏡的局限性，預測和測量可以比用低功率密度技術開發的傳統方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011 CoolGaN是英飛凌GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產品。最近該公司推出了兩款進入量產的產品——CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN開關管專用驅動IC GaN
2018-12-06 18:06:214652 LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關鍵優點是在硬切換時控制轉換速率，這種控制對于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義，TI這款產品采用可編程電流來驅動GaN門，使得轉換速率可以設定在30~100V/ns之間。
2019-01-07 10:39:335255 產品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯FET等產品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011329 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 《漲知識啦19》---HEMT 的電流崩塌效應 在之前的《漲知識啦》章節中，小賽已經介紹了GaN材料中極化效應以及二維電子氣（2DEG）的產生原理。因2DEG具有超高的溝道遷移率，所以2DGE可以
2020-09-21 16:35:441856 
GaN 基高電子遷移率場效應管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優勢，并在其應用領域已取得重要進展，但GaN基HEMT器件大功率應用的最大挑戰是其normally-on特性。對于傳統
2020-09-21 09:53:013557 
在實際應用中，為實現失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結構的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508849 工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向導通，那到底有還是沒有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331 對于許多設計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關。
2021-09-08 18:03:541518 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318440 
匹配使得塊狀氮化鋁單晶可能適合氮化鎵外延生長。此外，高熱導率(340W/m·K)和高電阻率使AlN成為大功率器件的理想選擇。。AlN具有極性纖鋅礦結構，由緊密間隔的六邊形層組成，在沿c軸堆疊
2022-02-21 14:00:051976 
作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00510 
作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內的性能。據作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:28933 
納米電子和數字技術研究與創新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V
2022-07-26 08:02:43837 
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺。
2022-07-29 15:34:03836 雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:171367 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結構，2具有由電壓驅動的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器級中提供的優勢。
2022-08-08 09:15:48816 
針對熱效應機理和熱電模型,我們將著重考慮熱導率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實驗曲線作對比,獲得準確的模型參數。
2022-09-08 10:44:051571 ，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330 Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優異的性能指標；CG2H80060D包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移
2022-11-01 09:29:51593 N極性GaN HEMT是目前業界的研究熱點。
2022-12-02 15:54:57595 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯想等）大功率適配器等應用場景的優勢展示和產品推出，推動了GaN器件在更廣泛的電源領域的使用，使GaN器件的成本價格與市面主流的Si器件相當
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產生較高的結溫。根據半導體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521078 
由于界面固定電荷沒有充放電效應，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計算界面固定電荷的方法。本文首先結合能帶結構建立了肖特基柵和絕緣柵HEMT器件
2023-02-13 09:33:581173 
通過AlN柵介質層MIS-HEMT和Al2O3柵介質層MOS-HEMT器件對比研究發現，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運特性；但是由于材料屬性和生長工藝的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
關態漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結構可以有效減小器件關態漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結構的關態柵漏電曲線，漏極電壓Vd設定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結構如圖1所示， AlGaN/GaN異質結采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解 張書源，鐘世昌 發表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術 +關注 0 引言 近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測量工具和 技術，進而呈現器件性能的優劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術，詳細介紹了幾種表 征技術的應用場景和近年來國內外的相關
2023-02-20 11:47:22876 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23464 GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061220 
襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應，影響器件的性能發揮。
2023-06-14 14:00:551653 
點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ （本文轉載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學習） GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關
2023-07-17 18:45:02711 
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布
2023-10-10 17:12:15199 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面臨著柵極耐壓、控制IC（負責GaN器件的驅動控制
2023-10-25 15:45:02236 
了很多關注，由寬禁帶半導體所制備的功率器件可作為具有低導通電阻的高壓開關，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質結場效應晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場強度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認為可制備極佳的功率開關。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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