業界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體和驅動IC等業務的電動動力傳動系統部高級總監Mark Muenzer介紹了對GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:05
1598 。 納微半導體于2014年成立，并憑借其面向消費級市場的高集成度的GaN功率芯片產品在市場上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進入這個市場，EPC、GaN系統、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國的英諾賽科）已經實現商業化量產，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:535933 近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52777 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:001800 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）GaN功率器件的價格在近年持續下跌，部分650V、150V規格的GaN器件價格已經與同規格的硅基器件相近，并且高頻性能更強，效率更高。在GaN的成本優勢之下，帶動
2023-10-14 00:07:001549 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領域史上最大規模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 ? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
）。另一方面，功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件（共源共柵Cascode結構）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
集成電路故障機制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉向GaN功率器件（例如通信基站）的開發技術。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應晶體管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
、高速驅動和保護機制的功率級器件LMG3410R070（圖2），這款產品是行業內首款600V GaN集成功率級器件，采用的是8mm X 8mm QFN封裝的多芯片模塊（MCM），方便工程師方案設計。導
2019-07-16 00:27:49
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
地被開發出來。GaN器件的低導通內阻、低寄生電容和高開關速度等特性，使得對應的Class D功放系統能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術的采用，但標準無需使技術可靠
2018-09-10 14:48:19
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源設計的生態系統。 GaN將在電源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關 v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 應用到移動電話首款GaN 應用是針對大功率軍事使用開發的，例如雷達或反IED 干擾機，然后逐漸擴展至商用基站和有線電視轉播機。這些應用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設備的平均
2017-07-28 19:38:38
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
，但經過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術。德州儀器已經在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對GaN裝置進行了2000萬小時的加速可靠性測試。在此測試時間內，遠程
2019-03-01 09:52:45
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
650V的MOSFET。根據應用程序的要求，開發人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統
2023-02-27 15:53:50
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
。在這次活動中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
器件的市場營收預計將達到13億美元，約占3W以上的RF 功率市場的45%。2015-2025年射頻功率市場不同技術路線的份額占比資料來源：YOLE境外GaN射頻器件產業鏈重點公司及產品進展：目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2018-08-04 14:55:07
，如圖5和圖6所示。圖5和圖6將新一代基于C6技術的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術的600V CFD進行對比。 圖5Qrr 與通態電阻關系，測量條件為25°C 。將80 m?、310 m
2018-12-03 13:43:55
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結構，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729 Infineon（英飛凌）V2X技術開發平臺
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息，以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:214652 “GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產品領域是多么重要。此次能夠與業界知名的技術開發領軍企業羅姆共筑合作體制，我感到非常高興。通過兩家公司專業知識
2019-08-22 08:49:473472 目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037275 
前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 傳統的升壓PFC僅使用一個有源開關，通常是650V超結Si MOSFET。當今，大多數常規開關電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗，但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:3510 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57641 
。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點）和
2022-08-04 11:17:55587 
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有更低的導通電阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048 
LP88G24DCD內置650V級聯型結構的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設計，具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 09:41:12628 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經開發并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉換，并且已經與汽車企業建立了無數合作伙伴關系。
2023-01-06 11:11:34459 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23464 功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34688 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51686 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25659 
交割日，GaN Systems現已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術為支持脫碳的更節能、更節能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過掌握所有相關功率半導體技術，進一步加強了英飛凌在電源系統
2023-10-25 14:51:13479 隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術在各領域的應用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能，為行業帶來更多的創新和價值。
2024-02-02 15:06:34304 近日，全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺達電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400
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