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9.5.14 光刻膠配套試劑∈《集成電路產業全書》2022-02-19 01:06
Ancillaries撰稿人:北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人:復旦大學鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提光刻膠 360瀏覽量 -
8.1.2 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-18 01:12
8.1.2電流-電壓關系8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.1夾斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件7.4結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管7.3.4電流-電壓關系∈晶體管 526瀏覽量 -
9.5.12 光敏聚酰亞胺PSPI∈《集成電路產業全書》2022-02-18 01:10
PhotosensitivePolyimid撰稿人:中國科學院化學研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人:復旦大學鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動集成電路 637瀏覽量 -
8.1.3 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-18 01:08
8.1.3飽和漏極電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.2電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.1.1夾斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件7.4結勢壘肖特基(J電壓 685瀏覽量 -
9.5.13 抗反射涂層ARC∈《集成電路產業全書》2022-02-18 01:06
AntireflectionCoating撰稿人:北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人:復旦大學鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動集成電路 524瀏覽量 -
8.1 結型場效應晶體管(JFET)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-16 01:09
8.1.1夾斷電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.4結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3.3“i”區的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3晶體管 580瀏覽量 -
9.5.11 新型光刻膠材料∈《集成電路產業全書》2022-02-16 01:08
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7.4 結勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-15 01:07
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9.5.10 極紫外光刻膠∈《集成電路產業全書》2022-02-15 01:06
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7.3.2 “i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-02-14 01:15
7.3.2“i”區中的載流子濃度7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.1大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《碳化硅技術基本原理SiC 665瀏覽量