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9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-01-26 01:41
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們CompoundQuantumWellMaterials撰稿人：北京大學(xué)王茂俊https://www.pku.edu.cn/審稿人：北京大學(xué)康寧9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本集成電路 418瀏覽量 -
6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-25 01:38
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理SiC 1143瀏覽量 -
9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-01-25 01:37
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓集成電路 435瀏覽量 -
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-24 01:19
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、SiC 1725瀏覽量 -
9.4.12 碳化硅單晶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-01-24 01:18
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸集成電路 564瀏覽量 -
6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-23 01:25
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化SiC 769瀏覽量 -
9.4.11 藍(lán)寶石晶體與襯底材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-01-23 01:24
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝集成電路 336瀏覽量 -
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-22 01:32
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)SiC 1223瀏覽量 -
9.4.10 氮化鎵薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-01-22 01:31
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大集成電路 448瀏覽量 -
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-21 01:24
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、SiC 1146瀏覽量