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9.6.7 化學(xué)機(jī)械拋光液∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-26 01:07
ChemicalMechanicalPolishingSlurry撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》集成電路 582瀏覽量 -
國(guó)產(chǎn)CPLD：AG1280Q48 替代Altera EPM12702022-02-25 01:09
AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280isultra-lowcostandpowerinQFN-486x6andQFN-324x40.8mm(actual0.77mm)thinknesspackaging.Thedevicehas1280LUTsandmaximcpld 4040瀏覽量 -
8.2.4 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-25 01:07
8.2.4飽和漏極電壓8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈電壓 660瀏覽量 -
9.6.6 清洗腐蝕試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-25 01:06
CleaninganndEtchingChemicals撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強(qiáng)http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).AD集成電路 318瀏覽量 -
國(guó)產(chǎn)MCU PtP STMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義2022-02-24 01:10
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8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-24 01:08
8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.6功率JFET器 -
9.6.5 高純化學(xué)試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-24 01:07
High-purityChemicals撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強(qiáng)http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012集成電路 306瀏覽量 -
8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-23 01:07
8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作MOS 882瀏覽量 -
9.6.4 石英制品∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-23 01:05
QuartzProducts撰稿人：北京凱德石英股份有限公司張忠恕審稿人：浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供Si集成電路 393瀏覽量 -
CPLD.AGM:AG256SL100 PINtoPIN EPM240T1002022-02-22 01:09
AG256CPLDsisthelowcostCPLDs.Thisinstant-on,non-volatileCPLDfamilytargetsgeneral-purposeandlow-densitylogic.Thelogicdensityis256LogicElementswithLQFP-100package.Low-Costandlow-powerFPGA 1240瀏覽量