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臺積電發(fā)布堆疊晶圓技術(shù) 英偉達(dá)及AMD都將會受惠

jXID_bandaotigu ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-05-11 11:40 ? 次閱讀

在第24屆年度技術(shù)研討會上,臺積電發(fā)布了一個可以為顯卡帶來革命性變革的技術(shù)堆疊晶圓技術(shù),這意味Nvidia和AMD GPU不需要增加其物理尺寸或縮小制造工藝即可獲性能提升......

日前臺積電在圣克拉拉舉辦了第24屆年度技術(shù)研討會,它剛剛發(fā)布了一個可以為顯卡帶來革命性變革的技術(shù)Wafer-on-Wafer (WoW,堆疊晶圓)技術(shù)。 顧名思義,WoW的工作方式是垂直堆疊層,而不是將它們水平放置在電路板上,就像3D NAND閃存在現(xiàn)代固態(tài)驅(qū)動器中堆疊的方式一樣。這意味Nvidia和AMD GPU不需要增加其物理尺寸或縮小制造工藝即可獲性能提升。

借由這樣的技術(shù),未來繪圖芯片業(yè)者包括英偉達(dá) (Nvidia) 及AMD (AMD) 都將會受惠。另外,臺積電還同時(shí)宣布與益華電腦 (Cadence) 合作,借由益華電腦的 EDA 軟件與矽智財(cái)權(quán),以未來生產(chǎn) 5 納米或 7 納米制程的移動芯片。臺積電雖然提出了 WoW 技術(shù),但是制程的成熟度卻在量產(chǎn)的過程中扮演著重要的角色。在目前 WoW 技術(shù)的良率還很低的情況下,在臺積電未來前進(jìn)到更先進(jìn)制程技術(shù)之前,預(yù)計(jì)將在其成熟的 16 納米或 10 納米制程技術(shù)上進(jìn)行初步推廣。

另外由于晶圓上的平面空間有限,透過 WoW 技術(shù)可以透過硅通孔 (TSV) 互連,將多層邏輯運(yùn)算單位以立體方式堆疊在一起,架構(gòu)出高速、低延遲互連性能。而這樣的生產(chǎn)方式早就運(yùn)用在 DRAM 及 3D NAND Flash 等存儲器的生產(chǎn)技術(shù)上,但是用在邏輯運(yùn)算單元的量產(chǎn)上,卻還是首次。

WoW現(xiàn)在最大的問題是晶圓產(chǎn)量。當(dāng)它們被粘合在一起時(shí),如果只有一個晶圓壞了,那么即使兩個晶圓都沒有問題,它們也必須被丟棄。這意味著該工藝需要在具有高成品率的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上使用,例如臺積電的16納米工藝,以降低成本。不過,該公司的目標(biāo)是在未來的7nm和5nm制造工藝節(jié)點(diǎn)上使用WoW技術(shù)。

隨著先進(jìn)制程技術(shù)的成熟和良率的提高,未來繪圖芯片制造商可以利用 WoW 技術(shù),將兩個或以上功能齊全的繪圖芯片堆疊在一起,而不是使用兩個的繪圖芯片進(jìn)行雙系統(tǒng)的運(yùn)算。如此不但能節(jié)省成本,而且還有體技更小、效能更佳、而且更加節(jié)省耗能的優(yōu)點(diǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:臺積電發(fā)布堆疊晶圓技術(shù)

文章出處:【微信號:bandaotiguancha,微信公眾號:半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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