三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
據(jù)悉，盡管三星電子在去年底成功制得了1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達到預(yù)期水平。因此，三星不得不將良率里程碑時間推遲至2025年6月，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和可靠性。
這一變化可能會對三星對HBM4內(nèi)存的規(guī)劃產(chǎn)生影響。HBM4作為高性能內(nèi)存，對良率和穩(wěn)定性有著極高的要求。因此，三星在1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)上的推遲，可能會使得HBM4的量產(chǎn)時間也相應(yīng)延后。
三星電子一直致力于在內(nèi)存技術(shù)方面保持領(lǐng)先地位，此次推遲無疑對其市場布局和產(chǎn)品計劃帶來了一定的挑戰(zhàn)。未來，三星將需要更加努力地提升良率和生產(chǎn)效率，以滿足市場需求并保持競爭力。
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