文章來(lái)源：半導(dǎo)體與物理

原文作者：jjfly686

本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

在FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中，當(dāng)自對(duì)準(zhǔn)硅化物（self-aligned silicide, salicide）過(guò)程完成，在源（Source）和漏（Drain）區(qū)形成了低電阻接觸之后，晶圓就準(zhǔn)備好進(jìn)入替換柵極（replacement gate）或稱為后柵極（gate-last）高介電常數(shù)金屬柵極（High-k Metal Gate, HKMG）工藝階段。以下是該過(guò)程中每一步驟的具體內(nèi)容及其作用：

1. ILD1沉積

步驟描述：首先，在已經(jīng)形成的源漏極區(qū)域上沉積一層絕緣層材料ILD1（Inter Layer Dielectric 1）。這一步驟的主要目的是為后續(xù)CMP平坦化提供一個(gè)平整的基礎(chǔ)，并且作為柵極和其他結(jié)構(gòu)之間的絕緣層。

作用解釋：

提供平坦化基礎(chǔ)： 確保接下來(lái)的CMP處理能夠順利進(jìn)行。

絕緣功能： 防止不同導(dǎo)電層之間的短路問(wèn)題。

2. CMP平坦化

步驟描述：使用化學(xué)機(jī)械平坦化（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技術(shù)去除部分ILD1，暴露出之前用作占位符的偽多晶硅柵極（dummy polysilicon gates）。

作用解釋：

暴露偽柵極： 使得后續(xù)可以準(zhǔn)確地移除這些臨時(shí)柵極。

表面平整度： 確保后續(xù)工藝中材料沉積的一致性和均勻性。

3. 偽柵極移除與清潔

步驟描述：接下來(lái)，通過(guò)濕法蝕刻等工藝移除偽多晶硅柵極及其上的氧化層，并進(jìn)行徹底清洗以保證界面干凈無(wú)污染。

作用解釋：

準(zhǔn)備新柵極位置： 為新的HKMG結(jié)構(gòu)騰出空間。

確保高質(zhì)量界面： 清潔后的界面有助于提高新材料的附著質(zhì)量。

4. 高k介電材料沉積

步驟描述：采用原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）技術(shù)，在清理后的區(qū)域沉積一層鉿基高介電常數(shù)材料（如HfO2），作為新的柵極絕緣層。

作用解釋：

改善電氣性能： 減少柵極泄漏電流并提升晶體管性能。

控制閾值電壓： 高k材料的選擇對(duì)于調(diào)整晶體管的工作點(diǎn)至關(guān)重要。

5. 功函數(shù)金屬沉積

步驟描述：對(duì)于PMOS器件，接著會(huì)在其上沉積鈦氮化物（TiN），它將作為調(diào)整閾值電壓的工作函數(shù)金屬。隨后還會(huì)沉積鉭氮化物（TaN）作為屏障金屬，防止后續(xù)沉積的鎢擴(kuò)散到高k介電層中。

作用解釋：

調(diào)節(jié)閾值電壓： TiN用于設(shè)定PMOS器件的功函數(shù)，從而影響其開(kāi)啟/關(guān)閉特性。

阻擋層功能： TaN阻止其他金屬成分?jǐn)U散，保護(hù)高k介電層。

6. NMOS掩模應(yīng)用與選擇性蝕刻

步驟描述：為了處理NMOS區(qū)域，需要對(duì)整個(gè)晶圓表面涂覆光刻膠，并應(yīng)用NMOS掩模來(lái)保護(hù)PMOS區(qū)域，而暴露出來(lái)的NMOS區(qū)域則會(huì)被蝕刻掉TaN屏障層和TiN PMOS工作函數(shù)金屬。

作用解釋：

保護(hù)PMOS： 確保PMOS區(qū)域不受下一步蝕刻的影響。

暴露NMOS： 準(zhǔn)備NMOS區(qū)域接受特定的工作函數(shù)金屬。

7. NMOS功函數(shù)金屬沉積

步驟描述：移除光刻膠并再次清洗晶圓后，利用ALD技術(shù)在NMOS區(qū)域沉積適合的功函數(shù)金屬，例如鈦鋁氮化物（TiAlN），用于調(diào)整NMOS器件的閾值電壓。

作用解釋：

定制NMOS閾值電壓： TiAlN等材料用于優(yōu)化NMOS晶體管的性能。

8. 粘附層沉積與WCMP填充

步驟描述：最后，沉積一層鈦氮化物（TiN）作為粘附層，然后進(jìn)行鎢化學(xué)機(jī)械拋光（WCMP），以填充柵極溝槽。WCMP過(guò)程中，過(guò)量的鎢以及其他金屬層被去除，只留下位于柵極溝槽內(nèi)的HKMG結(jié)構(gòu)。

作用解釋：

增強(qiáng)粘合強(qiáng)度： TiN作為中間層增加了金屬與下方結(jié)構(gòu)之間的結(jié)合力。

精確填充： WCMP確保了柵極溝槽被充分但不過(guò)度填充。

9. 過(guò)拋光

步驟描述：所有其他金屬層和高k介電層都會(huì)在過(guò)拋光步驟中從晶圓表面去除，只留下位于柵極溝槽內(nèi)的HKMG結(jié)構(gòu)。

作用解釋：

清除多余材料： 確保最終產(chǎn)品具有良好的電氣特性和可靠性。

表面平整： 為后續(xù)工藝提供一個(gè)平滑的工作面。