如何測量晶圓表面金屬離子的濃度
???本文主要介紹如何測量晶圓表面金屬離子的濃度。?
金屬離子濃度為什么要嚴格控制？????
金屬離子在電場作用下容易發生遷移。如Li?，Na?、K?等可遷移到柵氧化層，導致閾值電壓下降。
常用的檢測晶圓表面金屬離子的儀器？
全反射 X 射線熒光光譜儀，英文簡稱TXRF。
X射線熒光是什么？
當X射線照射樣品時，樣品原子吸收X射線的能量，使原子的內層電子被激發到更高能級，原有位置形成空穴。而外層電子會躍遷至內層空穴，在躍遷過程中，多余的能量以特定波長的X射線形式釋放。通過檢測這些X射線，可以確定元素的種類和含量。
什么叫全反射？
如上圖，TXRF的X 射線會以極低的入射角照射樣品表面，X 射線的穿透深度僅有幾個nm，即全部反射，大大減少了背景信號干擾，因此可檢測低至 ppb級別的痕量金屬污染。? TXRF的優勢？ 1、靈敏度高 2、非破壞性 3、快速檢測，一般只要幾分鐘 4，全晶圓分析 5、可以分析多種襯底，例如 Si、SiC、GaAs、InP、藍寶石、玻璃等
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
5030瀏覽量
128657 -
X射線
+關注
關注
4文章
211瀏覽量
51336 -
金屬離子
+關注
關注
0文章
7瀏覽量
7034
原文標題：如何測量晶圓表面金屬離子的濃度？
文章出處：【微信號：bdtdsj，微信公眾號：中科院半導體所】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
真空回流焊爐/真空焊接爐——晶圓失效分析
在制造的各個階段中，都有可能會引入導致芯片成品率下降和電學性能降低的物質，這種現象稱為沾污，沾污后會使生產出來的芯片有缺陷，導致晶圓上的芯片不能通過電學測試。晶圓
特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響
在半導體制造領域，晶圓作為芯片的基礎母材，其質量把控的關鍵環節之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶
不同的真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響
不同的真空吸附方式，作為晶圓測量環節中的關鍵支撐技術，對 BOW 測量結果有著千差萬別的影響。
一、全表面真空吸附方式
全
晶圓的環吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
設計，與傳統或其他吸附方案相比，對 BOW/WARP 測量有著顯著且復雜的影響。
一、常見吸附方案概述
傳統的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點吸附等。全表面吸附利用真空將晶
晶圓劃片為什么用UV膠帶
使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低； 厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對
簡儀科技助力實現晶圓溫度的精準測量
在半導體行業，晶圓的制造、設計、加工、封裝等近千道工藝環節中，溫度始終貫穿其中。溫度的精密監測對于確保晶圓的質量和最終產品的性能至關重要。微小的溫度波動可能對電路的穩定性、可靠性以及功
晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響
本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產物揮發性與刻蝕速率，表面形貌等。
晶圓/晶粒/芯片之間的區別和聯系
（Si）或其他半導體材料制成。晶圓的形狀一般是圓形的薄片，厚度一般在幾百微米到幾毫米之間，表面經過精密的處理，使其足夠光滑，并具備優良的晶體結構，適合進行各種電子器件的加工。 比喻：可以把晶
去除晶圓表面顆粒的原因及方法
本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。
在12寸（300毫米）晶圓廠中，清洗是一個至關重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學品如硫酸，鹽酸，雙氧水，氨水，氫氟酸等用于清洗。
碳化硅晶圓和硅晶圓的區別是什么
以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有比硅（Si）更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
工商網監
評論