三星電子近期于領先半導體行業會議 Memcon 2024上透露，公司將從2025年起步入3D DRAM階段。

據分析師預測，DRAM行業將于2030年前縮減工藝至10nm以下，然而當前的設計已無法在此基礎上進行延伸，故而業內開始尋求如3D DRAM等新型存儲器解決方案。

相關報告揭示，三星已展示出兩款頗具前景的3D DRAM技術——垂直通道晶體管及堆疊DRAM。前者通過改變信道方向，大幅縮小元件體積；后者則通過高密度陣列設計，在有限空間內提高存儲容量（單芯片高達100G）。

為保持競爭力，三星于今年初在美國硅谷建立了新的3D DRAM研發中心，以深化其在該領域的優勢地位。

有研究機構大膽預估，3D DRAM市場于2028年有望達到千億美元規模。