據報道，英偉達擬自三星購買高帶寬存儲（HBM）芯片，此乃AI芯片核心器件之一。而SK海力士已率先啟動下一代HBM3E芯片的大規模生產。

對此，英偉達聯合創始人兼首席執行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會上，坦言：“HBM結構相當精密且附加價值極高，我司已在此領域做出大量投資。”他進一步透露，公司正對三星的HBM芯片進行資質審核，并將未來陸續采用這些產品。

隨著人工智能浪潮席卷而來，因為相較于常規存儲芯片，HBM能帶來更快的計算速度，已然成為了其中極為關鍵的一環。黃仁勛指出：“HBM無疑是科技創新的典范。”同時也強調，由于新型節能型超算芯片逐漸普及，HBM將有力助推全球實現可持續發展。

身為AI芯片市場領導者，SK海力士為英偉達獨家供應HBM3芯片。盡管未公布新的HBM3E的客戶清單，但有消息稱，該新芯片將首先面向英偉達，應用于最新研發的Blackwell GPU。

三星為緊隨競爭對手步伐，持續加大HBM投入力度，其于2023年2月布消息稱，成功研制出業界首款12層堆棧HBM3E DRAM，據悉，這款產品容量最大。三星方面表示，預計上半年正式啟動該芯片量產。